1樓：冰涼
halo光環鑽井剖面的基本操作：
光環曲線入阱，注入後立刻植入額外的摻雜物。 植體在角度和能源的高到足以確保植入劑外側面最終鑽。間隔後處理s / d轉換退火，產生的輪廓擴散由於泰德效應,導致了一個相對平坦的輪廓尺寸大小的電流裝置。
圖34顯示了作為植入和最後一個典型的光環植入硼摻雜剖面的實驗結果。 這個資料包括效應產生的傷害和s / d植入鑽。 可以看出,輪廓的特徵是通道長度尺寸為今天的0.
25?m和0.18?
m的技術單位。 然而,即使是相對平坦的光環的輪廓，在阱中的柵長以及摻雜增幅下降。這是因為同樣的光環植入劑被限制在較小的區域。
對於單位和裝置，由於通道長度的增加而ioff迅速下降。這是因為在現有的和在次臨界區域潛在障礙指數的關係。對於halo光環鑽井情況下, 漏電流沒有和尺寸大小減少一樣快。
事實上,對於極強的光環,增加ioff隨著大小可以看出。這可以解釋為在源到漏在不同情況下的光環大小裝置的潛在障礙和變化。 因為光環儀器的堅固、門限電壓迅速減少所以同時相應的裝置尺寸增加。
2樓：匿名使用者
halo的基本操作井概況
暈配置檔案建立的植入到井後，立即注入額外的小費摻雜。植入物通常是在一個角度和能量足夠高的劑量，以確保植入的最後演出之外sde的形象。間隔後處理及s / d退火，由此產生的個人資料，由於泰德擴散的影響，在1比目前的裝置體積尺寸較平坦的剖面造成的。
由於植入的最後一個典型的光環植入硼摻雜剖面圖34顯示了實驗結果。這些資料包括來自該sde和的s / d植入物產生的破壞作用。可以看出，配置檔案是相當多的平坦通道特性為今天的0.
25？0.18米，長度尺寸？
米技術。然而，即使是相對平坦暈剖面，它仍舊會在閘極長度以及摻雜的增加降低。這是因為相同的光環植入劑量是在一個較小的範圍侷限。
對於單位和裝置，ioff迅速下降的通道長度增加。這是因為在現有的和在次臨界區域潛在障礙指數關係。對於光環的情況下，洩漏電流的大小不會降低儘快。
事實上，極強的光環，在ioff隨著規模的增加可以看出。這可以解釋為在源到漏在不同情況下的光環大小裝置的潛在障礙和變化。對於強大的光環裝置，閾值電壓迅速成為器件尺寸的增加而減少。
3樓：走走停停吖
基本操作的光環鑽井剖面
光環曲線創造額外攙雜劑入井植入植入後立刻小費。植體在角度和能源的高到足以確保植入劑外側面最終鑽。處理後,s / d襯墊,產生的輪廓擴散的退火由於泰德效應,導致了一個相對平坦的輪廓尺寸大小的電流裝置。
圖34顯示實驗結果對於作為植入和最終的興奮劑剖面對一個典型的硼光暈。這個資料包括效應產生的傷害和s / d植入鑽。可以看出,輪廓的特徵是相當乾脆溝道長度尺寸為今天的0.
25 ?米和0.18 ?
米的技術。然而,即使是相對平坦的光環的輪廓,它還導致增加的大門也服用興奮劑的長度是減少。這是因為同樣的光環植入劑禁閉在較小的區域。
為平好裝置,ioff迅速下降通道長度的增加。這是由於指數之間的關係,在當前勢壘閾地區。對於此日冕電流的情況下,不減少與大小一樣快。
事實上,對於極強的光環,增加ioff隨著大小可以看出。這可以解釋這樣的變化,source-to-drain勢壘大小不同的裝置的光環。因為堅固光環儀器、門限電壓是迅速減少裝置尺寸增加。
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4樓：匿名使用者
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