1樓：匿名使用者
以nmos為例：
當nmos直接做bai在dup型襯底zhi上時，為了防止襯底與源dao漏的pn結正偏導通，襯底要接回最低電位，對答單個mos而言，襯底和源可以直接相連；但如果是在積體電路里面，所有mos管的襯底都接了最低電位，但源端可能不是接最低電位，這時源和襯底就是不連一起的，這時就會出現襯偏效應，導致閾值電壓飄移，變得比襯源相連時更大，所以其實我們是希望襯源相連的，只是有時候沒法這麼做。
在現在雙阱cmos工藝中，nmos做在p型阱裡面，阱就相當於nmos的襯底，由於阱與阱之間是隔離的，所以電位可以不相同，這時，所有nmos的襯源就可以直接相接了
2樓：何啟卓
1、防止有電流copy從襯底流向流向源極和導電溝道bai，這裡是防du止襯底與源極的pn結導通zhi，導通了的話，
dao就會有電流從襯底的低摻雜的p型矽片流向源極的高摻雜n+區。
2、將襯底與源極相連線，兩者的電位就相同了，沒有正向壓降，兩者間的pn結就不會導通，從而就不會有電流流過pn結。
3、也可以不連線襯底與源極，但是要保證襯—源之間電壓u（bs）使襯—源之間pn結反向偏置。這樣也不會有電流從襯底經過pn結流向源極。
你自己再把書仔仔細細看看，這問題問老師，估計會捱罵。
3樓：匿名使用者
mos管的源極和漏極有什麼區別
4樓：四舍**入
一、指代不同
1、源極：簡稱場效電晶體。t僅是由多數載流子參與導電，與雙極型相反，也稱為單極型電晶體。
2、漏極：利用外部電路的驅動能力，減少ic內部的驅動， 或驅動比晶片電源電壓高的負載。
二、原理不同
1、源極：在一塊n型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的p型區（用p+表示），就形成兩個不對稱的p+n結。把兩個p+區並聯在一起，引出一個電極，稱為柵極（g），在n型半導體的兩端各引出一個電極。
2、漏極：將兩個p區的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在n型矽片兩端各引出一個電極。
5樓：匿名使用者
1、區別：源極(source)source資源，電源，中文翻譯為源極。起集電作用的電極。漏極(drain)drain排出，洩漏，中文翻譯為漏極。起發射作用的電極。
2、mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。
這樣的器件被認為是對稱的。
6樓：血刺廢車
mos管的定義：場效電晶體的結構是在一塊n型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的p型區域，用p+表示，形成兩個p+n結。n型半導體的兩端引出兩個電極，分別稱為漏極d和源極s。
把兩邊的p區引出電極並連在一起稱為柵極g。如果在漏、源極間加上正向電壓，n區中的多子（也就是電子）可以導電。它們從源極s出發， 流向漏極d。
電流方向由d指向s，稱為漏極電流id.。由於導電溝道是n型的，故稱為n溝道結型場效電晶體。
場效電晶體（包括結型和絕緣柵型）的漏極與源極通常製成對稱的，漏極和源極可以互換使用。
但是有的絕緣柵場效電晶體在製造產品
時已把源極和襯底連線在一起了
，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳，形成四個管腳。一般情況p襯底接低電位，n襯底接高電位。
7樓：匿名使用者
對於絕緣柵nmos管，接高壓為漏端，接低壓為源端。pmos剛好相反。從原理上，nmos載流子是電子，由低電壓處提供，所以低壓端稱源端，pmos載流子是空穴，由高壓處提供，所以高壓端稱源端。
8樓：一梔穿雲箭
源極: 引入載流子
漏極: 漏出載流子
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