1樓：匿名使用者
mos場效電晶體圖形符號的箭頭也是表示電流反向的，mos場效電晶體有p型溝道和n型溝道兩種。
三極體的發射極箭頭方向一定是電流方向對嗎？請說出理由 30
2樓：灬星夢輕舞灬
三極體發射極的箭頭可以表示發射極電流的方向，發射極電流的方向向外，是npn型，向內是pnp型。
3樓：匿名使用者
你這裡圖紙的三極體估計是作為開關作用的而非拿來放大的
4樓：帖卉韓夏萱
簡單,你就記住一條發射極中的電流是基極和集電極電流之和,對於npn型管子電流是從集電極和基極流入,發射極流出,所以箭頭向外；對於pnp型管子,由於電流是從發射極流入,從集電極和基極流出,所以箭頭向裡,
三極體發射極箭頭是表示電流方向嗎？
5樓：匿名使用者
簡單,你就記住一條發射極中的電流是基極和集電極電流之和,對於npn型管子電流是從集電極和基極流入,發射極流出,所以箭頭向外；對於pnp型管子,由於電流是從發射極流入,從集電極和基極流出,所以箭頭向裡,
三極體符號中間的箭頭方向是p->n，而mos則正好相反，請大俠賜教是為什麼，謝謝。
6樓：匿名使用者
在三極體中就是由p指向n的，在mos由於只有一種材料，但也是符合這個規律的，n型材料的箭頭指向n，p型材料的箭頭背向p，你仔細看下。
三極體符號箭頭方向指向是什麼意思
7樓：匿名使用者
三極體箭頭指向是發射極的電流方向，有箭頭的那個極就是發射極。
箭頭向內指的是pnp型三極體，箭頭向外指的是npn型三極體。
在三極體中（npn和pnp）的電流流向
8樓：墨汁諾
npn是兩進一出，ic+ib=ie.pnp是一進兩出，工藝部同，和電流方向不同
。npn是集電極流向發射極，pnp是發射極流向集電極。
一般情況pnp三極體是c極輸出電流，npn三極體c極輸如電流。
在三極體甲類放大電路工作時,基極電流有兩路,其中: ib1為偏置電流、也叫靜態電流或叫起始電流。其作用是使輸入的ib2無論大小、正負都能完整地、無失真地流經三極體的b、e極。
ib2為輸入的訊號電流。ib1、ib2的關係是:ib2+ib1。
9樓：匿名使用者
對於npn管，npn三極體要導通則需要兩個pn結處於正偏電壓，npn是用b—e的電流（ib）控制c—e的電流（ic），e極電位最低，且正常放大時通常c極電位最高，即vc>vb>ve。所以，電流的流向是由c極流向e極。b極是控制腳，b的電流流向e。
對於pnp管，pnp是用e—b的電流（ib）控制e—c的電流（ic），e極電位最高，且正常放大時通常c極電位最低，即vc。
npn做開關時，適合放在電路的接地端使用， pnp做開關時，適合放在電路的電源端使用， npn基極高電壓，集電極與發射極短路。低電壓，集電極與發射極開路。也就是不工作。
pnp基極高電壓。集電極與發射極開路，也就是不工作。如果基極加低電位，集電極與發射極短路。
10樓：匿名使用者
npn是兩進一出，ic+ib=ie.pnp是一進兩出，他們的工藝部同，和電流方向不同。
11樓：匿名使用者
晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和矽管。而每一種又有npn和pnp兩種結構形式，但使用最多的是矽npn和鍺pnp兩種三極體，兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹npn矽管的電流放大原理。
對於npn管，它是由2塊n型半導體中間夾著一塊p型半導體所組成，發射區與基區之間形成的pn結稱為發射結,而集電區與基區形成的pn結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e、基極b和集電極c。 當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而c點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源ec要高於基極電源ebo。 在製造三極體時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源後，由於發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）極基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流了。
由於基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電集電流ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被複合掉的基區空穴由基極電源eb重新補給，從而形成了基極電流ibo.根據電流連續性原理得： ie=ib+ic 這就是說，在基極補充一個很小的ib，就可以在集電極上得到一個較大的ic，這就是所謂電流放大作用，ic與ib是維持一定的比例關係，即：
β1=ic/ib 式中：β1--稱為直流放大倍數， 集電極電流的變化量△ic與基極電流的變化量△ib之比為： β= △ic/△ib 式中β--稱為交流電流放大倍數，由於低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。
三極體是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三極體的電流放大作用，通過電阻轉變為電壓放大作用。 三極體放大時管子內部的工作原理 1、發射區向基區發射電子 電源ub經過電阻rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子(自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由於多數載流子濃度遠低於發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。
2、基區中電子的擴散與複合 電子進入基區後，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴複合，擴散的電子流與複合電子流之比例決定了三極體的放大能力。 3、集電區收集電子 由於集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流i**。
另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。
12樓：梅
npn是集電極流向發射極，pnp是發射極流向集電極。
13樓：匿名使用者
一般情況pnp三極體是c極輸出電流，npn三極體c極輸如電流。
在電子技術中：論電流方向來說n溝道mos管與pnp電晶體這種流向是不是一樣的？
14樓：匿名使用者
理想的mos管，不管nmos還是pmos，溝道開啟的時候，電流可從源到漏，也可從漏到源。但是實際的mos管，由於製造工藝的原因，在矽底層擴散形成結的時候會同時形成一個寄生二極體。由於這個寄生二極體的存在，當溝道關閉後，mos管源漏之間仍然能夠單向導電。
因此，為了讓mos管正常工作，必須保證該寄生二極體處於反偏。具體來說，對於nmos，寄生二極體方向是從源到漏，因此電路上電流應該從漏到源，即漏極電位高於源極才能正常工作；而pmos則相反。可簡單歸納為「n正驅（柵極電位高於矽基底）反通（漏極高於源極），p反驅正通」
15樓：匿名使用者
一般來說，場管的g相當於
三極體的b，d相當於c，s相當於e，n溝道相當於npn，p溝道相當於pnp，這樣電流流向就可以參考三極體的了。但實際很多場管電流可以從d流到s，也可從s流到d，例如同步整流的降壓式變換器，高階的nmos就是d流向s，而低端的nmos卻是s流向d的。三極體則沒有這種用法。
16樓：匿名使用者
有可比性嗎，n溝道mos管是在漏源之間加正電壓，在柵源之間也加正電壓。pnp電晶體 的電流方向是發射極流向集電極。
17樓：匿名使用者
雖然忘了一些，不過場效電晶體是電壓元件吧，用同樣的電路可能不行吧，輸出的電流會變得吧
三極體的基本知識
18樓：匿名使用者
晶體三極體又稱雙極型三極體，它是利用是有電子和空穴兩種載流子的運動而工作的，簡稱三極體。三極體放大作用的理解，切記一點：能量不會無緣無故的產生，所以，三極體一定不會產生能量，但三極體厲害的地方在於：
它可以通過小電流控制大電流放大的原理就在於：通過小的交流輸入，控制大的靜態直流。
三極體內部結構
半導體二極體內部只有一個pn結，若在半導體二極體p型半導體的旁邊，再加上一塊n型半導體如圖5-1（a）所示。由圖5-1（a）可見，這種結構的器件內部有兩個pn結，且n型半導體和p型半導體交錯排列形成三個區，分別稱為發射區，基區和集電區。從三個區引出的引腳分別稱為發射極，基極和集電極，用符號e、b、c來表示。
處在發射區和基區交界處的pn結稱為發射結；處在基區和集電區交界處的pn結稱為集電結。具有這種結構特性的器件稱為三極體。
三極體通常也稱雙極型電晶體（bjt），簡稱電晶體或三極體。三極體在電路中常用字母t來表示。因三極體內部的兩個pn結互相影響，使三極體呈現出單個pn結所沒有的電流放大的功能，開拓了pn結應用的新領域，促進了電子技術的發展。
因圖5-1（a）所示三極體的三個區分別由npn型半導體材料組成，所以，這種結構的三極體稱為npn型三極體，圖5-1（b）是npn型三極體的符號，符號中箭頭的指向表示發射結處在正向偏置時電流的流向。
根據同樣的原理，也可以組成pnp型三極體，圖5-2（a）、（b）分別為pnp型三極體的內部結構和符號。
由圖5-1和圖5-2可見，兩種型別三極體符號的差別僅在發射結箭頭的方向上，理解箭頭的指向是代表發射結處在正向偏置時電流的流向，有利於記憶npn和pnp型三極體的符號，同時還可根據箭頭的方向來判別三極體的型別。
例如，當大家看到「 」符號時，因為該符號的箭頭是由基極指向發射極的，說明當發射結處在正向偏置時，電流是由基極流向發射極。根據前面所討論的內容已知，當pn結處在正向偏置時，電流是由p型半導體流向n型半導體，由此可得，該三極體的基區是p型半導體，其它的兩個區都是n型半導體，所以該三極體為npn型三極體。
三極體的結構
三極體的幾種常見外形，其共同特徵就是具有三個電極，這就是「三極體」簡稱的來歷。 通俗來講，三極體內部為由p型半導體和n型半導體組成的三層結構，根據分層次序分為npn型和pnp型兩大類。npn（一般為矽管）和pnp （一般為鍺管） 上述三層結構即為三極體的三個區, 中間比較薄的一層為基區，另外兩層同為n型或p型，其中尺寸相對較小、多數載流子濃度相對較高的一層為發射區，另一層則為集電區。
三極體的這種內部結構特點，是三極體能夠起放大作用的內部條件。 三個區各自引出三個電極，分別為基極（b） 、發射極（e）和集電極（c）。 三層結構可以形成兩個pn結，分別稱為發射結和集電結。
三極體符號中的箭頭方向就是表示發射結的方向。三極體內部結構中有兩個具有單向導電性的pn結，因此當然可以用作開關元件，但同時三極體還是一個放大元件，正是它的出現促使了電子技術的飛躍發展。2 三極體的電流放大作用
直流電壓源vcc應大於vbb，從而使電路滿足放大的外部條件：發射結正向偏置，集電極反向偏置。改變可調電阻rb，基極電流ib，集電極電流ic 和發射極電流ie都會發生變化，由測量結果可以得出以下結論：
（1） ie ＝ ib ＋ ic ( 符合克希荷夫電流定理）
（2） ic ≈ ib ×? （ ?稱為電流放大係數，可表徵三極體的電流放大能力）
（3）△ ic ≈ △ ib ×?
由上可見，三極體是一種具有電流放大作用的模擬器件。
三極體的電流分配關係是怎麼的，三極體的電流分配關係是怎麼的
三極體各電極上的電流分配關係為 發射極ie 基極ib 集電極ic。發射極電流ie，集版電極電流ic大於權基極電流ib，集電極ic 基極ib。晶體三極體有npn和pnp兩種結構形式，但使用最多的是矽npn和鍺pnp兩種三極體，其中，n是負極的意思 代表英文中negative n型半導體在高純度矽中加入...
三極體是怎樣放大的，三極體是怎麼放大電流的？
你問了4個問題，以下逐一回答 1 一般放大訊號由集電極輸出，發射極輸出 射極跟隨器 不放大訊號。2 三極體有一個所謂線性放大區，在此區域內可以作線性放大，你說的10ma放大200倍是一個大功率管，放大倍數很難做到那麼高，即使能做到那麼高也不穩定，所以不能由一隻三極體完成將10ma放大200倍，集電極...
三極體是如何放大電流的
不是發射極輸入小電流使集電極有較大的電流輸出，是基極小電流引起集電極大電流輸出。在放大區內，三極體的集電極電流和基極電流之間成比較固定的比例關係 這個比例就是三極體的電流放大倍數hef 基極電流和集電極電流合起來形成發射極電流。基極電流ib 集電極電流ic和發射極電流ie的關係見下圖 您好，集電極的...