1樓：匿名使用者
k是波向量，能帶中存在電子和空穴的運動方向歸一化之後就有一個—k,所以能帶有兩隻，但是因為空穴和電子的有效質量不一樣，實際上能帶圖不是對稱的。
半導體物理中k與e 的關係怎麼樣系統的理解
2樓：匿名使用者
晶體電子的能量e與波矢k的關係曲線就是能帶圖。晶體電子的狀態是用波函式和能量本徵值來確定的，可採用波矢k來表徵；即一個k就代表了一種狀態（一種波函式和相應的能量）。
半導體物理的能帶是k空間定義的，但物理量卻都是由座標空間給出的，那k空間和座標空間的變換是怎樣的？
3樓：匿名使用者
k空間是一個虛空間，是不能和實空間進行轉換的。k空間中的能帶圖反應了實空間中載流子所處的能量狀態。拿pn結能帶圖來說，大致上可以相互對應上去，但這隻能是為了方便理解，實際上是不可以的。
4樓：匿名使用者
實空間和k空間是互為fourier變換關係。這就是本質。
5樓：
k=(2*π/l)*n n=0,正負1.正負2.。。。
6樓：匿名使用者
vffgvfjvfjnv
半導體中e(k)與k的關係： 其中說的能帶底附近的e(k)>e(0),能帶頂附近的e(k)
7樓：匿名使用者
e(0)是指波矢k=0狀態的
能bai量。du
若e(0)是導帶底，則zhi其它任何k態的能量e(k)，都dao必將大於e(0)，即有e(k)>e(0)；版若e(0)是價帶頂的權能量，則其它任何k態的能量e(k)，都必將小於e(0)，即有e(k) 8樓：灬中鐵大橋局灬 劉恩科版《半導體物理》 半導體物理裡面有效質量裡面波數k＝0位於能帶底還是能帶頂能隨便設嗎 9樓：匿名使用者 e(0)是指波矢k=0狀態的能量。若e(0)是導帶底，則其它任何k態的能量e(k)，都必將大於e(0)，即有e(k)>e(0)；若e(0)是價帶頂的能量，則其它任何k態的能量e(k)，都必將小於e(0)，即有e(k) 半導體物理中所講得k空間究竟是什麼空間啊？（越形象越好，謝謝？） 10樓：匿名使用者 微觀粒子具有波動性，其動量和座標不能同時確定，則它的狀態就不能用動量和回座標來描述，而可採用波矢來答表示。波矢的大小是波長的倒數，波矢有3個分量（kx，ky，kz）。 對於晶體中的電子，其中只能存在一些、某一定波長的電子波，即只能有一定數量的波矢，即有一定數量的電子狀態。由這些波矢的3個分量（kx，ky，kz）構成的空間就是k空間，其中的每一個點（即每一個k）就代表具有一種波長的電子狀態，多少個k就代表多少個狀態。 請參見中「微電子知識」的(7)(8)(9)(10)。 11樓：匿名使用者 k空間==波矢空間。 有關半導體中mosfet,high-k的問題，希望能有熱心人幫助 12樓：匿名使用者 1.半導體物理的相關書 來籍2。不是很清源楚，但是由於材料，應該改變了源漏電流表示式中beta的大小 3。你說的驅動電流就是源漏電流吧？越大，速度越快。這個道理就像給水庫灌水一樣，水壓越大灌得越快。 4。原來的瓶頸在於如果使用原多晶柵，當特徵尺寸很小了以後，容易擊穿（不確定，反正這時候需要有高介電的物質來做gate），所以現在解決了這個就可以做得更小 我也在學習中，可能有的說的不是很對，作為參考吧 13樓：匿名使用者 1蘭氏化學手冊 應該有 2 ？？ 具體和勢壘有關 3 貌似沒有必然聯絡 4 沒聽說過，不過目前大量應用low-k 去緩解 漏電 你問的是關於q的問題。我以前在半導體公司做過製程，培訓過一些q的知識。希望對你有所幫助。半導體生產中，是通過在系統上設定目標值及範圍來對質量的進行監控。比如 現在我要長一層8000a 目標值 的bpsg film。怎麼長？是thin film module 薄膜部門 工程師在機臺上建立好程式，包括目... 半導體電子廠主要生產to 92 to 92s to 92l to 126型產品。產品 三極體廣泛應用於玩具 電子節能燈 數碼技術產品 通訊 電視 工業自動化及家用電器領域，上芯 焊線 塑封 測試分選 鐳射列印等自動化生產裝置。電子廠的半導體指的是 鍺 矽 硒 砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體... 複合中心半導體中某些雜質和缺陷可以促進載流子複合，對非平衡載流子壽命的長短起決定性作用的雜質和缺陷稱為複合中心。作為複合中心的雜質與缺陷一般在禁帶中引入一個或幾個深能級，它們既可以俘獲電子又能俘獲空穴，從而促進複合過程。陷阱中心是一種深能級的雜質或缺陷。陷阱中心的特點就是俘獲一種載流子的作用特別強，...半導體工藝中的質量管理問題，有關半導體物理有效質量的問題
什麼是半導體電子廠，做什麼產品的
什麼是複合中心和陷阱中心 他們在半導體中起到什麼作用 他們之間的有什麼區別