1樓：匿名使用者
irf540n閾值電壓 vgs th 典型值:4v，保證其工作在開關狀態，要求vgs至少大於4.5以上（跟所需求的負載電流有關）。
5v微控制器的輸出口介面高電平，當負載電流小於10ua時輸出電壓為4.5v，當負載電流300ua時輸出電壓為3.75v。
因此如果要用io口直接驅動irf540n，需保證io口負載電流在10ua以下才符合工程設計的需求。給出示意圖，供參考
2樓：匿名使用者
微控制器 控制 24v3a電路的通斷, 可以直接 用 io 控制， 任意選擇 一個 io 口 如 p3.7 則連線如下
p3.7 - g , s - gnd , +24 v - 負載 - d . 就可以了。 這一段時間 圖 沒法貼上去。
3樓：匿名使用者
用一個5v繼電器就可以了
4樓：匿名使用者
有電路圖最好啊，非常感謝啊！！！問題補充：實際上都不能完全斷開或閉合，幾毛錢一個。給你個簡單的控制電路圖可以用 p60no6，n溝道mos管，60a,
我要用微控制器5v輸出口來控制24v電路的通斷，我想用微控制器p3.0口接光耦，
5樓：薛_強
你的想法是對的，事實上就是這麼做的。
通過光耦的隔離，驅動一個三極體來控制繼電器的線圈，讓繼電器的觸點去控制24v電源的通斷。
6樓：匿名使用者
當然可以，
只要繼電器的工作電壓是5v的，微控制器的輸出能夠控制它即可。因為繼電器的觸點和微控制器是絕緣的，它完全可以工作在另外一組迴路。
怎麼用irf540n設計個開關電路圖.比較簡單的,不需要微控制器.比如就輸入個5v就可以開啟irf540n
7樓：文格林
負載串在漏極，源極接地，柵極用10v左右電壓控制，記得柵極要加下拉電阻。
5v電壓稍低，540可能不會完全導通。
微控制器5v控制24v電路
8樓：匿名使用者
解決了沒有，我也想知道，只用三極體和電阻，如已解決，懇請告知
9樓：匿名使用者
1，如果是想用5v控制24v通斷，則應該通過微控制器，光耦（隔離），三極體（功率放大），繼電器
2，但如果是想。。。。按你這個電路圖去猜，你是想將微控制器的高低電平提高到24v，0v麼？。。。。那你還是加一級光耦吧。。。不然容易怕燒了你的微控制器
10樓：匿名使用者
1、不要採用三極體；
2、採用光耦，進行隔直控制
11樓：匿名使用者
不是很理解樓主的想法
求一個微控制器控制mos管的電路圖
12樓：天晴電子玩家
電路原理圖：
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等~~ 此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。
13樓：zzx梓
微控制器驅動mos管電路主要根據mos管要驅動什麼東西， 要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以，要注意電感類負載要加保護二極體和吸收緩衝，最好用n溝道的mos。
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等。此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。然後mos管有一種簡單的驅動方式:
2sc1815+2sa1015，npn與pnp一個用於mos開啟驅動，一個用於mos快速關斷。
擴充套件資料：
mos管主要引數
開啟電壓vt
開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極s和漏極d之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
標準的n溝道mos管，vt約為3～6v；·通過工藝上的改進，可以使mos管的vt值降到2～3v。
2. 直流輸入電阻rgs
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
mos管的rgs可以很容易地超過1010ω。
3. 漏源擊穿電壓bvds
在vgs=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使id開始劇增時的vds稱為漏源擊穿電壓bvds
有些mos管中，其溝道長度較短，不斷增加vds會使漏區的耗盡層一直擴充套件到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的id
4. 柵源擊穿電壓bvgs
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流ig由零開始劇增時的vgs，稱為柵源擊穿電壓bvgs。
5. 低頻跨導gm
在vds為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵mos管放大能力的一個重要引數
一般在十分之幾至幾ma/v的範圍內
6. 導通電阻ron
導通電阻ron說明了vds對id的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
在飽和區，id幾乎不隨vds改變，ron的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由於在數位電路中 ，mos管導通時經常工作在vds=0的狀態下，所以這時的導通電阻ron可用原點的ron來近似
對一般的mos管而言，ron的數值在幾百歐以內
7. 極間電容
三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
cgs和cgd約為1～**f，cds約在0.1～1pf之間
8. 低頻噪聲係數nf
噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有訊號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化
噪聲效能的大小通常用噪聲係數nf來表示，它的單位為分貝（db）。這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小
低頻噪聲係數是在低頻範圍內測出的噪聲係數
場效電晶體的噪聲係數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小
14樓：love肖工
直接pwm輸出口接一個
小電阻到mos管的g極，然後gs間接一個10k的電阻，常用接法。然後d接vcc。gs間接一個電阻有兩個作用，一是mos關斷的時候，防止mos誤導通。
還有沒有上電的時候能防止一定的靜電損壞；二是mos關斷時，提供一個通道給g極放電，加速關斷。
15樓：匿名使用者
protel給你畫
可以嗎
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