1樓：天晴電子玩家
電路原理圖：
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等~~ 此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。
2樓：zzx梓
微控制器驅動mos管電路主要根據mos管要驅動什麼東西， 要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以，要注意電感類負載要加保護二極體和吸收緩衝，最好用n溝道的mos。
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等。此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。然後mos管有一種簡單的驅動方式:
2sc1815+2sa1015，npn與pnp一個用於mos開啟驅動，一個用於mos快速關斷。
擴充套件資料：
mos管主要引數
開啟電壓vt
開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極s和漏極d之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
標準的n溝道mos管，vt約為3～6v；·通過工藝上的改進，可以使mos管的vt值降到2～3v。
2. 直流輸入電阻rgs
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
mos管的rgs可以很容易地超過1010ω。
3. 漏源擊穿電壓bvds
在vgs=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使id開始劇增時的vds稱為漏源擊穿電壓bvds
有些mos管中，其溝道長度較短，不斷增加vds會使漏區的耗盡層一直擴充套件到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的id
4. 柵源擊穿電壓bvgs
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流ig由零開始劇增時的vgs，稱為柵源擊穿電壓bvgs。
5. 低頻跨導gm
在vds為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵mos管放大能力的一個重要引數
一般在十分之幾至幾ma/v的範圍內
6. 導通電阻ron
導通電阻ron說明了vds對id的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
在飽和區，id幾乎不隨vds改變，ron的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由於在數位電路中 ，mos管導通時經常工作在vds=0的狀態下，所以這時的導通電阻ron可用原點的ron來近似
對一般的mos管而言，ron的數值在幾百歐以內
7. 極間電容
三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
cgs和cgd約為1～**f，cds約在0.1～1pf之間
8. 低頻噪聲係數nf
噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有訊號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化
噪聲效能的大小通常用噪聲係數nf來表示，它的單位為分貝（db）。這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小
低頻噪聲係數是在低頻範圍內測出的噪聲係數
場效電晶體的噪聲係數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小
3樓：love肖工
直接pwm輸出口接一個
小電阻到mos管的g極，然後gs間接一個10k的電阻，常用接法。然後d接vcc。gs間接一個電阻有兩個作用，一是mos關斷的時候，防止mos誤導通。
還有沒有上電的時候能防止一定的靜電損壞；二是mos關斷時，提供一個通道給g極放電，加速關斷。
4樓：匿名使用者
protel給你畫
可以嗎
我需要一個mos管作為開關的電路圖
5樓：匿名使用者
可行的。
s接vcc g接控制管腳，如果你是51類的微控制器，最好在gs之間接一個上拉電阻。
d就是受微控制器控制了。高電平關斷，低電平導通但你不能用它來控制微控制器本身
求微控制器5v輸出驅動12v的電路電路圖？不用繼電器方案，用mos管方案，如下圖用mos管替代繼電器 20
6樓：龍君蓮
這個··需要看功率的哦，微控制器驅動這些還是很難得，尤其是52自身驅動能力就不是很強啊，不過找一個大功率管應該行的，如果沒有記錯的話9012或者9013就可以的
7樓：匿名使用者
這需要 你的 繼電器 觸點控制 圖畫全了，
不同的 電路 控制方法 不同。
微控制器驅動mos管電路
8樓：精力翻倍
微控制器任意一個i/o口通過一
個三極體控制sg3525的10腳。i/o口和三極體基極間串個幾k的電阻，發射極接地，集電極接sg3525的10腳同時接個10k電阻上拉至15腳。微控制器發高電平時工作，低電平時關斷。
9樓：於苒琦芳澤
這種用變壓器升壓的辦法是不可行的，很難得到你要的電壓和波形，原因你自己找開關電源方面的書就知道了。建議用dc-dc把18v電壓變為60v，然後微控制器加一級三極體驅動或光耦，再驅動一個mos管對60v電壓進行開關就可以了。mos管可用irf630等
請推薦一場效電晶體和電路圖，用於5v或3.3v微控制器控制5v和12v電源通斷
10樓：匿名使用者
電路圖見下圖，有來具自體的元器件型號：
帶軟bai開啟功能的mos管電du源開關電路具體的zhi分析，dao見文章《
帶軟開啟功能的mos管電源開關電路》
不過要求2a電流的話，圖示的mos管已經到達上限了，除非有充足的降溫措施，不然穩定性不夠，還是換用更大封裝的管子會比較好。這個管子的電流引數見下圖：
11樓：藏在水中的人
ntr4503n，最大漏極電流id=2.5a，源漏極間雪崩電壓vbr=30v，幾毛錢一個。給你個簡單的控制電路圖可以用
12樓：匿名使用者
推薦一款2n7002，開啟電壓2.2v，我給的這個電路用法中，用了兩個，其中一個的作用是邏輯取反，接led的那個用於開關作用
13樓：匿名使用者
p60no6，n溝道mos管，60a,60v耐壓，做電動車控制器的，**很便宜1-2元，電路簡單你可以試一下。
能直接用 51微控制器 的引腳 驅動mos管的 g極的嗎?想做個控制開關,最好回答有原理圖。一定採納
14樓：匿名使用者
不行。51的電壓不合適，高壓太低，mos管開啟狀態不好，沒有徹底導通（mos管導通比較好，最好在10v以上），低壓太高，mos管的關閉比開啟困難很多，最好是負電壓去關，否則不容易關死。
要開關mos管，g前面加一個電壓比較器更好。
15樓：江湖一小生
不能，最近在做這個，得加一個驅動電路，51輸出引腳電壓太低，我用的irf540，用ir2110驅動，還的把ir2110的輸入引腳電壓調到8至10付。
16樓：匿名使用者
如果控制電流不大（< 2a~3a ) 可以用左圖, r5+led1 可以換成需要控制的 負載,
電壓根據負載電壓。
如果控制電流比較大（> 3a ) 可以用右圖, r5+led1+led2+led3 可以換成需要控制的 負載,
電壓根據負載電壓。注意mos管的 g極 電壓 不可以 高於 20 v.
新人求教，微控制器輸出pwm波經放大電路控制mos管開關電路
17樓：匿名使用者
微控制器的高電平達到5v，可以驅動mos管，無需放大
18樓：
你需要ir2104或類似的mos驅動晶片，單純用微控制器電平驅動實際操作可行，但電路上不嚴謹，因為mos的門極需要反壓才能可靠關斷，如果不想用積體電路，可以考慮圖騰柱電路驅動
19樓：電子技術生涯
最好是放大到12伏，深度導通
20樓：老闆來碗炒粉幹
微控制器基本上都可以直接驅動mos ，不需要放大電路
用了個MOS管驅動繼電器來控制電機！微控制器上電後，電機總是衝
這個問題是由於微控制器復位狀態的電平是不收程式控制的，這個電平卻好使得mosfet導通，進而導致繼電器閉合。關於這個問題有如下幾個方法可以解決 1 更換mosfet，如n管換成p管，這樣復位電平就不會開啟mosfet了，程式中把開啟mosfet的電平改一下就行。不過這個方案需要對電路進行比較大的改動...
求一款LED亮度調節控制電路，微控制器PWM控制LED亮度
每個led的電流是多少？這個控制亮度可以用電阻嗎？工作電壓最高可以達到多少？led的連線方式對方案選擇是有影響的。微控制器pwm控制led亮度 1 任何一款微控制器都能輸出pwm波，即脈衝寬度調製器。用定時器即可輸出佔空比變化的方波。2 led亮度調節，首先應當明確led的伏安特性曲線。還要知道專案...
微控制器的PWM輸出可以直接驅動MOS管嗎
可以,mos管就是為微控制器而生的,從微控制器裡出來的當然沒問題.微控制器的pwm輸出可以直接驅動mos管嗎?可以,但導通電阻較大,因為功率mos的g極最大限壓30v,一般驅動電壓在10 15v,比較合適,建議你通過光碟機去驅動mos管。本我可回你並我相信可幫你解決的,可近這的bug太凶,昨天我約十...