1樓：維維豆奶
pn結是將p型半導體與n型半導體制作在同一塊半導體（通常是矽或鍺）基片上，在它們的交介面就形成空間電荷區稱為pn結。pn結具有單向導電性，是電子技術中許多器件所利用的特性，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
pn結的正向電壓是p區接電源的正極，n區接電源的負極。pn結接正向電壓時，會形成方向從p指向n的外電場，這個外電場的方向與pn結內電場方向相反，削弱了內電場的作用，使漂移運動和擴散運動的平衡被打破，擴散運動加強。
2樓：蒼蟾淚
先跟你解釋一下pn結形成的過程吧，pn結的形成分為三步：
1、多子的擴散運動，形成空間電荷區。由於n型半導體中的自由電子與p型半導體中的自由電子濃度不同，自由電子會在濃度梯度的作用下由n區向p區擴散；同理空穴也在濃度梯度的作用下由p區向n區擴散。這兩種載流子在n區和p區的交界處複合以後，就在交界處的p區留下不能移動的負空間電荷、在n區留下不能移動的正空間電荷。
這個區域只有空間電荷，所以稱為空間電荷區，又因為兩種載流子在這裡複合耗盡了，所以又叫耗盡區。
2、少子的漂移運動。空間電荷區的n區是正的空間電荷，p區是負的空間電荷，由於空間電荷不能移動，因此空間電荷在這裡產生了從n區指向p區的內建電場，這個電場會將n區的少子，即空穴，拉到p區，同時將p區的少子，即自由電子，拉到n區。這種在內電場的作用下少數載流子產生的運動稱為漂移運動。
3、擴散運動和漂移運動達到動態平衡——形成pn結。漂移運動最初的時候是沒有的，但隨著擴散運動的進行，空間電荷區從無到有，逐漸加寬，內電場隨之增大，內電場一方面使少子的漂移運動從無到有逐漸增強，另一方面削弱了多子的擴散運動。經過一段時間，這兩種運動達到動態平衡，這時候空間電荷區也不再增加，於是形成了一個具有一定寬度的空間電荷區，這個空間電荷區就叫pn結。
正向電壓（正向偏置）：pn結的p區接電源的正極，n區接電源的負極；
反向電壓（反向偏置）：pn結的p區接電源的負極，n區接電源的正極；
pn結加正向電壓時，在pn結上會形成方向從p指向n的外電場，這個外電場的方向與pn結內電場方向相反，削弱了內電場的作用，使漂移運動和擴散運動的平衡被打破，擴散運動加強。由於這時擴散了的多子可以由外電場得到源源不斷的補充，形成了流入p區的電流，稱為正向導通電流。又因為這個電流是由多子形成的，其值比較大，此時pn結的內阻較小，類似於開關閉合。
pn結加反向電壓時，pn結上形成了方向從n指向p的外電場，而且電場方向與pn結內電場方向相同，增強了內電場的作用，漂移運動和擴散運動的平衡被打破，漂移運動加強。這時形成了一個流出p區的電流，稱為反向飽和電流。但由於這個電流是少子形成的，其值比較小，而且大小與環境溫度有關，此時pn結的等效內阻很大，類似於開關斷開。
總結一下就是：當pn結正向偏置時，其等效內阻小，導通電流大，pn結導通：當pn結反向偏置時，其等效內阻大，導通電流小，pn結截止。這個特性稱為pn結的單向導電性。
希望我的答案對你有用~~~
3樓：匿名使用者
採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將p型半導體與n型半導體制作在同一塊半導體（通常是矽或鍺）基片上，在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。
p型半導體（p指positive，帶正電的）：由單晶矽通過特殊工藝摻入少量的三價元素組成，會在半導體內部形成帶正電的空穴；
n型半導體（n指negative，帶負電的）：由單晶矽通過特殊工藝摻入少量的五價元素組成，會在半導體內部形成帶負電的自由電子。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導電性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。
4樓：
正向電壓就是pn結的p側接電源的正極，n側接電源的負極;
pn結就是p型半導體與n型半導體通過工藝結合一起,結合部就形成pn結,外接正向電壓pn結呈低阻導通,外接反向電壓pn結呈高阻不通
pn結加正向電壓,是指p區接電源的什麼極,n區接電源的什麼極。
5樓：101小平
p區接正極，n接負極，內電場約為0.7v
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