1樓：幻之誰愚
**相差很大;可控矽的響應速度很快微秒級;接觸器的速度是1百多毫秒;
繼電器（英文名稱：relay）是一種電控制器件，是當輸入量（激勵量）的變化達到規定要求時，在電氣輸出電路中使被控量發生預定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統（又稱輸入迴路）和被控制系統（又稱輸出迴路）之間的互動關係。
通常應用於自動化的控制電路中，它實際上是用小電流去控制大電流運作的一種「自動開關」。故在電路中起著自動調節、安全保護、轉換電路等作用。
可控矽，是可控矽整流元件的簡稱，是一種具有三個pn結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為閘流體。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用於各種電子裝置和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。
家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控矽器件。
2樓：
在通斷的情況下可以替換使用,我們設計的產品即可以用可控矽也可以用接觸器;用接觸器要便宜300左右,可控矽1000左右;**相差很大;可控矽的響應速度很快微秒級;接觸器的速度是1百多毫秒;
接觸器是當有電壓時就吸合,通過繼電器控制斷開;可控矽是當電壓升高到一定時才通斷,可以連續調節;用做無級調節方面比較多;
就光簡單的通斷是一樣的!就是用接觸器的地方就可以用可控矽;但是用可控矽的地方換接觸器就不行!
3樓：一盒餅餅乾幹
繼電器是簡單的電磁開關。
可控矽是通過開啟訊號的強弱定開啟的程度
4樓：玉杵搗藥
繼電器是一個機電控制部件，依靠電磁力，是開關產生機械運動，控制導通與否；
而可控矽是純粹是電器元件，依靠控制pn界得導通角，來控制電路的開閉狀態。
補充答案：
樓主說得沒錯。
但是繼電器只能有「通」和「斷」兩個狀態；而可控矽卻能在「通」和「斷」之間實現連續控制，作用有點像「調光器件」。
另外，可控矽的工作頻率比繼電器要高得多。
再補充答案：
因為其控制方式和工作方式不同，所以不能代替。
可控矽和固態繼電器的區別是什麼
5樓：倩倩很愛錢
區別就在於，可控矽就是可控矽，固態繼電器則是可控矽+同步觸發驅動。
工作原理：可控矽實際上就是一個大功率的二極體,它與普通二極體的不同之處在於它多了一個控制極.普通二極體是正向電壓就導通,反向電壓就截止;而可控矽則是靠控制極的訊號導通的.
固態繼電器（solid state relay,縮寫ssr），是由微電子電路，分立電子器件，電力電子功率器件組成的無觸點開關。用隔離器件實現了控制端與負載端的隔離。固態繼電器的輸入端用微小的控制訊號，達到直接驅動大電流負載。
固態繼電器是具有隔離功能的無觸點電子開關，在開關過程中無機械接觸部件，因此固態繼電器除具有與電磁繼電器一樣的功能外，還具有邏輯電路相容，耐振耐機械衝擊，安裝位置無限制，具有良好的防潮防黴防腐蝕效能，在防爆和防止臭氧汙染方面的效能也極佳，輸入功率小，靈敏度高，控制功率小，電磁相容性好，噪聲低和工作頻率高等特點。
可控矽，是可控矽整流元件的簡稱，是一種具有三個pn結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為閘流體。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用於各種電子裝置和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。
家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控矽器件。
6樓：騎乘角鷹獸
問的很簡練，且看似簡單。而答的有三兩句，有長篇大論甚至還用了兩貼才算了事，可謂五花八門呀。一句問，成百句答。
答清楚了嗎？到底可控矽和固態繼電器的區別是什麼？ 可控矽可以是單向的，也可以是雙向的，可以過零觸發也可以移相觸發，固態繼電器同樣是如此的。
所以，他們的用途、形式都是一樣型別產品，從這一點上（使用的形式、性質角度）沒有區別，因為固態繼電器也是可控矽做的（三極體的固態繼電器除外）。那麼他們的區別到底在那呢？總不會一個東西，兩個名字吧？
他們的區別就在於，可控矽就是可控矽，固態繼電器則是可控矽+同步觸發驅動。這就是區別。 現在有一種叫「智慧化可控矽模組」，他把可控矽元件、同步觸發驅動做在一個模組裡了，這種可控矽與固態繼電器已經無法區分了。
當然，從形狀上可以區分。 1、工作原理 可控矽是p1n1p2n2四層三端結構元件，共有三個pn結，分析原理時，可以把它看作由一個pnp管和一個npn管所組成。 當陽極a加上正向電壓時，bg1和bg2管均處於放大狀態。
此時，如果從控制極g輸入一個正向觸發訊號，bg2便有基流ib2流過，經bg2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為bg2的集電極直接與bg1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經bg1放大，於是bg1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
這個電流又流回到bg2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向反饋迴圈的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。 由於bg1和bg2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控制極g的電流消失了，可控矽仍然能夠維持導通狀態，由於觸發訊號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控矽是不可關斷的。 由於可控矽只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化。
狀態說明 從關斷到導通 1、陽極電位高於是陰極電位 2、控制極有足夠的正向電壓和電流 兩者缺一不可 維持導通 1、陽極電位高於陰極電位 2、陽極電流大於維持電流 兩者缺一不可 從導通到關 1、陽極電位低於陰極電位 2、陽極電流小於維持電流 任一條件即可 2、基本伏安特性 （1）反向特性 當控制極開路，陽極加上反向電壓時，j2結正偏，但j1、j2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到j1結的雪崩擊穿電壓後，接差j3結也擊穿，電流迅速增加，特性發生了彎曲，彎曲處的電壓uro叫「反向轉折電壓」。此時，可控矽會發生永久性反向擊穿。
（2）正向特性 當控制極開路，陽極上加上正向電壓時，j1、j3結正偏，但j2結反偏，這與普通pn結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，特性發生了彎曲，彎曲處的是ubo叫，正向轉折電壓 陽極加正向電壓 由於電壓升高到j2結的雪崩擊穿電壓後，j2結髮生雪崩倍增效應，在結區產生大量的電子和空穴，電子時入n1區，空穴時入p2區。進入n1區的電子與由p1區通過j1結注入n1區的空穴複合，同樣，進入p2區的空穴與由n2區通過j3結注入p2區的電子複合，雪崩擊穿，進入n1區的電子與進入p2區的空穴各自不能全部複合掉，這樣，在n1區就有電子積累，在p2區就有空穴積累，結果使p2區的電位升高，n1區的電位下降，j2結變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性。 這時j1、j2、j3三個結均處於正偏，可控矽便進入正向導電狀態---通態，此時，它的特性與普通的pn結正向特性相似， 3、觸發導通 在控制極g上加入正向電壓時因j3正偏，p2區的空穴時入n2區，n2區的電子進入p2區，形成觸發電流igt。
在可控矽的內部正反饋作用的基礎上，加上igt的作用，使可控矽提前導通，導致伏安特性oa段左移，igt越大，特性左移越快。
7樓：小個子繼電器
1、效能特點：
可控矽：電壓低，電流低，速度快，封裝小。
固態繼電器：電壓高，電流高，速度慢，封裝大。
2、工作原理：
可控矽是p1n1p2n2四層三端結構元件，共有三個pn結，分析原理時，可以把它看作由一個pnp管和一個npn管所組成。
當陽極a加上正向電壓時，bg1和bg2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極g輸入一個正向觸發訊號，bg2便有基流ib2流過，經bg2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為bg2的集電極直接與bg1的基極相連，所以ib1=ic2。
此時，電流ic2再經bg1放大，於是bg1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到bg2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向反饋迴圈的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。
由於bg1和bg2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控制極g的電流消失了，可控矽仍然能夠維持導通狀態，由於觸發訊號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控矽是不可關斷的。
由於可控矽只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化。
狀態說明
從關斷到導通
1、陽極電位高於是陰極電位
2、控制極有足夠的正向電壓和電流
兩者缺一不可
維持導通
1、陽極電位高於陰極電位
2、陽極電流大於維持電流
兩者缺一不可
從導通到關
1、陽極電位低於陰極電位
2、陽極電流小於維持電流
任一條件即可
3、基本伏安特性
（1）反向特性
當控制極開路，陽極加上反向電壓時，j2結正偏，但j1、j2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到j1結的雪崩擊穿電壓後，接差j3結也擊穿，電流迅速增加，特性發生了彎曲，彎曲處的電壓uro叫「反向轉折電壓」。此時，可控矽會發生永久性反向擊穿。
（2）正向特性
當控制極開路，陽極上加上正向電壓時，j1、j3結正偏，但j2結反偏，這與普通pn結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，特性發生了彎曲，彎曲處的是ubo叫，正向轉折電壓
陽極加正向電壓
由於電壓升高到j2結的雪崩擊穿電壓後，j2結髮生雪崩倍增效應，在結區產生大量的電子和空穴，電子時入n1區，空穴時入p2區。進入n1區的電子與由p1區通過j1結注入n1區的空穴複合，同樣，進入p2區的空穴與由n2區通過j3結注入p2區的電子複合，雪崩擊穿，進入n1區的電子與進入p2區的空穴各自不能全部複合掉，這樣，在n1區就有電子積累，在p2區就有空穴積累，結果使p2區的電位升高，n1區的電位下降，j2結變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性。
這時j1、j2、j3三個結均處於正偏，可控矽便進入正向導電狀態---通態，此時，它的特性與普通的pn結正向特性相似
4、觸發導通
在控制極g上加入正向電壓時因j3正偏，p2區的空穴時入n2區，n2區的電子進入p2區，形成觸發電流igt。在可控矽的內部正反饋作用的基礎上，加上igt的作用，使可控矽提前導通，導致伏安特性oa段左移，igt越大，特性左移越快。
可控矽觸發電路有哪幾類可控矽觸發電路的觸發方式有哪些？
觸發脈衝訊號應具有足夠大的電壓和電流一般要求觸發電壓幅度為4 10v。觸發電路不輸出觸發脈衝時觸發電路因漏電流產生的漏電壓應小於0.15 0.2v以避免誤觸發。觸發脈衝要有一定的寬度以保證閘流體可靠導通。觸發脈衝的寬度最好取20 40us。觸發脈衝前沿要陡，以保證觸發時間的灘確性口一般要求前沿時間不...
用可控矽控制交流電機正反轉,用可控矽控制交流電機正反轉
單相交流電動機有兩個繞組三個接線頭,兩組線圈的公共端接在電源的一根線上,其餘的兩個線接啟動電容,只要把 電源另一根線用開關控制分別 接 接在電容的任意一端 必須是反正轉的電機 就會實現反正轉。圖中引數看不清楚,壓敏電阻應接在可控矽t1與g極間,吸收回路rc引數要視電機回容量多大決定,另外答感性負載起...
如何測量可控矽的好壞
可控矽分單向可控矽和雙向可控矽兩種，都是三個電極。單向可控矽有陰極 k 陽極 a 控制極 g 雙向可控矽等效於兩隻單項可控矽反向並聯而成 見圖1 即其中一隻單向矽陽極與另一隻陰極相邊連，其引出端稱t2極，其中一隻單向矽陰極與另一隻陽極相連，其引出端稱t2極，剩下則為控制極 g 1 單 雙向可控矽的判...