1樓:小ty呀
驅動最好是理想的方波!
所以你的波形越接近方波越好!
scr,gto,mosfet,gtr,igbt對觸發脈衝的異同點 250
2樓:
都是通過 pulse generator 產生驅動訊號,可以設定相應的佔空比,如scr就可以設定脈衝週期為電源週期1/50,脈衝寬度為窄脈衝,為電源週期的5%,脈衝幅值可以取為5~10v,如果設定觸發延遲角α為45度,只需將相位延遲引數設定為2.5ms,可以根據需要自己設定觸發角,不同的電路可能還要設定相應的死區時間,即要留有一定裕度,防止誤導通。
請問igbt、gto、gtr與mosfet的驅動電路有什麼特點
3樓:匿名使用者
igbt驅動電路的特點
來是:源驅動電路具有較小的輸出電阻,igbt是電壓驅動型器件,igbt的驅動多采用專用的混合整合驅動器。
gtr驅動電路的特點是:驅動電路提供的驅動電流有足夠陡的前沿,並有一定的過沖,這樣可加速開通過程,減小開通損耗;關斷時,驅動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅動電流,並加反偏截止電壓,以加速關斷速度。
gto驅動電路的特點是:gto要求其驅動電路提供的驅動電流的前沿應有足夠的幅值和陡度,且一般需要在整個導通期間施加正門極電流,關斷需施加負門極電流,幅值和陡度要求更高,其驅動電路通常包括開通驅動電路,關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。
電力mosfet驅動電路的特點:要求驅動電路具有較小的輸入電阻,驅動功率小且電路簡單。
電力電子技術問題 scr gto gtr igbt mosfet 對觸發脈衝要求的異同點
4樓:中華之星
都是通過
制 pulse generator 產生驅動訊號,可以設定相應的佔空比,如scr就可以設定脈衝週期
為電源週期1/50,脈衝寬度為窄脈衝,為電源週期的5%,脈衝幅值可以取為5~10v,如果設定觸發延遲角α為45度,只需將相位延遲引數設定為2.5ms,可以根據需要自己設定觸發角,不同的電路可能還要設定相應的死區時間,即要留有一定裕度,防止誤導通。
電力電子scr,gto,mosfet,gtr,igbt對觸發脈衝要求的異同點 50
5樓:tang破曉
igbt驅動電路的特點是:驅動電路具有較小的輸出電阻,igbt是電壓驅動型器件,igbt的驅動多采用專用的混合整合驅動器。 gtr驅動電路的特點是:
驅動電路提供的驅動電流有足夠陡的前沿,並有一定的過沖,這樣可加速開通過程,減小開通損耗;關斷時,驅動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅動電流,並加反偏截止電壓,以加速關斷速度。 gto驅動電路的特點是:gto要求其驅動電路提供的驅動電流的前沿應有足夠的幅值和陡度,且一般需要在整個導通期間施加正門極電流,關斷需施加負門極電流,幅值和陡度要求更高,其驅動電路通常包括開通驅動電路、關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。
電力mosfet驅動電路的特點是:要求驅動電路具有較小的輸入電阻,驅動功率小且電路簡單。
igbt、gtr、gto和電力mosfet的驅動電路各有什麼特點 5
6樓:無聊的說
答:igbt驅動電路的特點是:驅動電路具有較小的輸出電阻,igbt是電壓驅動型器件,igbt的驅動多
回採用答專用的混合整合驅動器。
gtr驅動電路的特點是:驅動電路提供的驅動電流有足夠陡的前沿,並有一定的過沖,這樣可加速開通過程,減小開通損耗,關斷時,驅動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅動電流,並加反偏截止電壓,以加速關斷速度。
gto驅動電路的特點是:gto要求其驅動電路提供的驅動電流的前沿應有足夠的幅值和陡度,且一般需要在整個導通期間施加正門極電流,關斷需施加負門極電流,幅值和陡度要求更高,其驅動電路通常包括開通驅動電路,關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。
電力mosfet驅動電路的特點:要求驅動電路具有較小的輸入電阻,驅動功率小且電路簡單。
7樓:在秀花可女
igbt成為絕緣柵型場效電晶體
gto門極可關斷閘流體
gtr巨型閘流體
mosfet
如果你採用的是王兆安的第五版
版的那麼書上的權結論如下:
1.gto的驅動電路:分為脈衝變壓器耦合式和直接耦合兩種,直接耦合應用範圍廣,但是功耗大,效率低。給出的例子就是其驅動特點:
原方n1到副方n2出項兩種導通:
正向:c3放電—r1—v1(觸發導通)—l—觸發gtoc1放電—r2—v2—l—gto
反向關斷:c4放電
—關斷gto—門級—l—v3
剩下三種推到方法類似....
2gtr:
圖中給的分為電氣隔離和電晶體放大電路兩部分組成,主要是通過光耦合器控制三極體的原理控制觸發電路
3mosfet和igbt都是電壓驅動器件,要求驅動電路有較小的輸出電阻。
scr.gto.gtr功率mosfet。igbt的各自優缺點
8樓:lin夕子
上述提到的器件
都屬於功率開關器件。若按參與導電的載流子是一種還是兩種,可分為單極器件和雙極器件。
其中屬於雙極器件的有:scr、gto、gtr以及igbt;單極器件的是功率mosfet。scr是可控矽整流器,也叫閘流體,主要用在類似於二極體的領域,其與二極體不同的是,正向工作時,可通過門極電流來觸發導通。
而不像是二極體過了導通電壓就能直接導通,但其關斷不能通過門極關斷,而是將電流減小至某個值以下,或是直接的換向關斷。gto是gate turn-off thyristor, 為門極可關斷閘流體,即可以通過控制門極關斷閘流體。
gtr應該是giant transistor,為巨型電晶體,導通工作時要求發射結集電結均正偏,與普通bjt工作類似。以上的器件主要用於大電流,高壓,低頻場合。
而功率mosfet由於是單極型器件,電流處理能力相對較弱,但由於其在開關過程中,沒有載流子儲存的建立與抽取,其頻率特性好,用於高頻低壓領域。
而igbt,為insulated gate bipolar transistor,是絕緣柵雙極場效電晶體,為電壓控制電流,柵控器件,其工作頻率比普通的雙極器件高,電流處理能力比mosfet要強,一般用於中高頻中高壓領域。
做scr ,gto,mosfet,gtr,igbt實驗時注意事項有哪些? 5
9樓:匿名使用者
做實驗,不炸幾個不長記性
1)注意防靜電,尤其是mos
2)gto,igbt,gtr這些高壓大電版流的,注意權別弄死自己3) 有條件可以加些保護監控電路,殼溫監測、過流監測等,情況不好直接斷電,保證實驗室中電路保險合格,發生異常可以自動跳閘等等
其他至於炸不炸的,原因很多,驅動,散熱等等,不用太擔心炸的聲音還沒個屁響
10樓:匿名使用者
注意下一致性和工作頻率,就是驅動要搞好,要不一開機沒幾分鐘就炸了
igbt,gtr,vmosfet,scr,gto的開關速度比較?答案
11樓:igbt驅動
gto一般最高只能做到
幾百hz,但功率較大,已達到3000a、4500v的容量。
scr 的頻率一般不超過10khz,電流可以到幾千a,電回壓6000v以上。答
gtr目前其額定值已達1800v/800a/2khz、1400v/600a/5khz、600v/3a/100khz。
igbt的頻率一般不會超過100khz,但高頻效能比gtr好。
mosfet 的頻率理論上可以做到1mhz(1000khz),應用範圍比較多的頻率段應該為幾百khz左右。
所以排序大概為:gto 另外,設計電路中選擇功率器件不能只考慮頻率,還有如開關損耗、驅動電路的設計、電流電壓等級,所以說這是個折衷考慮的結果。 法驅主要是白虎和破魔，力驅則是像星落打，落鳳錘等技能控制場面，簡單說力驅的攻速較慢，不過擁有較高的攻擊，比如星落打，嚇死人的攻擊力啊 攻擊方式比較傳統。法驅的戰鬥方式比較多變，白虎是個很有效的技能，還有切割，是大叔中次於藍拳的獨特攻擊方式，我比較喜歡法驅，因為力驅玩到後期會覺得無聊，總之，現在物驅強... 雙修驅魔 放棄，這種驅魔一般只會出現在pk場當中力驅 前期能玩，後期就下水了，沒有好 即使攻擊上萬也刷得很蛋疼法驅 目前刷圖推薦，持續輸出能力不錯，刷圖也不算難，但是法驅要考驗操作，如果操作不好，刷圖比力驅更蛋疼 裝備 力驅板甲力量暴擊假紫，拿斧頭，法驅布甲智力暴擊假紫，拿念珠加點 很簡單，力驅滿物... suv汽車兩驅和四驅各有利弊。四驅suv 動力突出，通過性強，適於越野。四輪驅動能夠將發動機的動力分配到4個車輪上，能夠讓車輛的操控和通行能力大幅提升。而目前，四驅系統一般分為 全時四驅 分時四驅和適時四驅。兩驅suv 合理，兼顧越野和城市通行。兩驅的suv車型無論外觀 內飾，還是駕駛視野和駕乘感受...DNF物驅好還是魔驅好，dnf驅魔法驅好還是物驅好啊 說一下理由
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