1樓:一笑煙然
首先應瞭解晶界
和晶界的特點. 兩個取向不同的相鄰晶粒交接處的介面是晶界回.特點是:
晶界處原子排列多答有畸變,所以晶界是金屬內部各種畸變,缺陷和雜質聚集的地帶.這裡自由能較高,相變時先形核;電阻大,熔點低;高溫時易滑移,低溫時強度高
介面能 為什麼 使 晶界熔點低於晶粒內部?
2樓:猴子屁股倒琳
小林913(站內聯絡ta)晶界熔點低易腐蝕氧化是由於晶界上往往存在凝固後的雜質,雜質的存在往往降低晶界處的熔點,其介面上往往有很多缺陷,這樣更易於腐蝕液浸透。從介面能上理解,介面上的形成的化學鍵不可能與晶粒內部的化學鍵那樣完美,有可能存在不飽和的化學鍵,這樣介面能的存在將跟易於腐蝕和氧化jiaopeifeng(站內聯絡ta)originally posted by 小林913 at 2011-05-20 1358:
晶界熔點低易腐蝕氧化是由於晶界上往往存在凝固後的雜質,雜質的存在往往降低晶界處的熔點,其介面上往往有很多缺陷,這樣更易於腐蝕液浸透。從介面能上理解,介面上的形成的化學鍵不可能與晶粒內部的化學鍵那樣完 ... 你的話我能夠理解,但是,感覺還是沒有回答上我所問的問題,我總感覺沒看到重點。
可不可以再請教你一個問題,具體描述如下:
在書中說到「位錯」的時候,描述「如果金屬中不含位錯,那麼它將有極高的強度,不易塑性變形。隨著位錯密度的不斷增大,強度不斷降低」;可是書中在說到「晶界特性」的時候,描述「晶界上存在晶格畸變,因而對金屬材料的塑性變形起著阻礙作用,在巨集觀上表現為使金屬材料具有更高的強度和硬度」。
我想問的是,這兩個觀點是否矛盾?位錯也導致晶格畸變啊。小林913(站內聯絡ta)你後面一句話還可以理解,第一句話「如果金屬中不含位錯,那麼它將有極高的強度,不易塑性變形。
隨著位錯密度的不斷增大,強度不斷降低」 通常理解是位錯密度增大,強度升高的,不知道你是斷章取義,還是沒理解到位,原文可能還有別的假設條件,而且你這個問題與介面能無關!freelee712(站內聯絡ta)不矛盾,塑性變形是位錯移動的巨集觀表現,晶界的存在,阻礙了位錯的移動,因而不易於塑性變形的發生,增強了強度和硬度。假設根本不存在位錯,也就沒有了位錯的移動(在不產生位錯的前提下),就不會有塑性變形,強度極高...
畢業久了,好久不看書了,不知道對還是不對,瞎說,路過,醬油派 :dfreelee712(站內聯絡ta)介面能,頂二樓
我在看一本關於金屬學的書,上面有一句話:「由於介面能的存在,使晶界的熔點低於晶粒內部,且易於腐蝕和氧化。」
由於晶界的存在,導致介面能,晶格畸變能提高,金屬凝固和熔化相變的驅動力為化學自由能,當化學自由能大於一定值時,便能凝固或熔化,而晶界的存在,提高了該「一定值」的基數,相當於增大了化學自由能,因此使得晶界處的熔點較低。
金屬熔化時,首先是在晶界處熔化還是在晶粒內部熔化?說明原因
3樓:手機使用者
晶界處點陣畸變大,存在著晶界能,由於成分偏析和內吸附現象,特別是晶界富集雜質原子情況下,往往晶界熔點較低,故在加熱過程中,因溫度過高將引起晶界熔化和氧化,導致過熱現象產生。
晶體和非晶體熔化時都要先變軟，然後變成粘稠體，最後變成液體嗎
晶體在熔化時，是吸熱不升溫的，直到完全熔化為液體時才升溫，晶體在熔化過程中是固液共存，而非晶體是吸熱繼續升溫的，晶體是不會變軟的，非晶體才會 任何物質因溫度的不同都在氣固液態中存在，並因溫度的變化在此三相中轉化 還有一種情況就是昇華，直接由晶體到氣體。這要看晶體的晶狀結構，不能一概而論 晶體和非晶體...
求一首德國重金屬樂隊的歌曲，副歌部分是女聲，副歌第一句lov
weekend scooter 這首個嗎？有你要求的歌詞在其中。望採納 求歌，求許多歌，求新舊歌！losing grip sk8er boi i m with you mobile unwanted tomorrow anything,but ordinarythings i ll never sa...