1樓：匿名使用者
能導通！
實際所有n溝道mos場效電晶體都有一個s極指向d極的「寄生二極體」（p溝道是d指向s,故能導通！），書本上可能簡化了，國外的mos場效電晶體符號圖上都把它畫上的。
不過g極禁止懸空，以免靜電擊穿！
2樓：磊洪丁
不過g極禁止懸空，以免靜電擊穿！
p溝道增強型場效電晶體的g,s(源極),d的接法及導通條件 15
3樓：電子發燒友傑仔
p溝道g極低電平時導通，高電平截止。控制電流就難了。
4樓：只是當時已網燃
場效電晶體的導通條件為vgs的電壓，而
非g極電壓，如果用p溝道的mos，s級需要接比g極高的電專壓。流屬
過電流的大小可通過限流，穩壓控制，用微控制器控制場效電晶體我建議還是用n溝道的mos比較好，因為微控制器控制低電平控制pmos時，s極的電壓只要只要大於0v，容易使mos導通。
請問p溝道場效電晶體改如何驅動啊？為什麼我的這個buck電路中irf5305不加驅動訊號卻一直處於導通狀態呢？
5樓：鬼少哥
問題所在：
這個電路bai實際上一直du使得p溝道的場效電晶體zhi導通，p溝道的驅動原
dao理和回pnp三極體類似，當基極的電壓
答低於發射機時，pnp三極體導通，同理，當p溝道場效電晶體柵極（g）電壓低於源極（s）時，場效電晶體導通，51微控制器的控制電壓0-5v，無論如何都低於你的24v源極電壓，所以你的場效電晶體一直處於導通狀況，以至於你的微控制器控制訊號沒有意義，無法完成你想要的開關狀態。
解決辦法：
一：想辦法讓你的微控制器工作在19-24v之間，實際上對於微控制器來說也就是0-5v，這樣之後你的這個驅動電路就不用改了。最簡單的方法就是用n個二極體串在微控制器的接地腳上再接上電路的地線上，讓接地腳的電壓剛好19v。
不過這樣做成本增加，電路能耗效率也低，如果用作實驗就無所謂了。
二：將p溝道場效電晶體換成n溝道，源極接地，柵極接微控制器控制，漏極接應用電路的地端，應用電路的紅端接24v，不過這樣一來電路可能就需要改動了。
三：在微控制器和場效電晶體之間再接一級放大電路,如圖，不用多說，你會明白的。
n結場效電晶體，g極是p區，s,d極都是n區，要是導通，應該是gs為正電壓吧，為什麼是負電壓呢？
6樓：匿名使用者
結型場效電晶體是gs加負電壓，n溝道絕緣性場效電晶體gs為正電壓導通，這你多看看模電就明白了
7樓：天空
n區是自由自由區，p區是空穴區，如果加正電壓，電流從g到s，則電子從s到g（n區到p區），然後n區的自由電子就變少了，則n溝道變窄甚至關斷。所以要導通的話，加負電壓開啟n溝道，才能導通。
8樓：匿名使用者
pn區域只有加負電壓時，才能加大阻擋層的寬度，使導電溝道寬度變化。如果加正向電壓，阻擋層變薄，就不能改變導電溝道的變化了。
關於n溝道場效電晶體和p溝道場效電晶體的導通截止問題？
9樓：匿名使用者
1.場效電晶體是電壓控制的元件，控制極和其他極不導通。
2.n溝道的控制極高壓時。漏極和專源極屬導通。漏極流向源極。
3.p溝道，一個很麻煩的元件。要負壓控制。p溝道的控制極為低壓（負電壓）。漏極和源極導通。源極流向漏極。
4.不管n還是p。負載最好接在漏極上。
場效電晶體s極接地什麼意思，是不是導通了。d極電壓流向s極流到地去了！
10樓：0427付強
電壓不會流動，流動的是電流。當mos導通後，電流經d到s流回大地
在g極懸空的條件下，增強型n溝道mosfet的d極和s極之間的的電壓比較的大，是不是會導致d與s的導通呢。
11樓：折騰嗎
實際所有n溝道mos場效電晶體都有一個s極指向d極的「寄生二極體」（p溝道是不過g極禁止懸空，以免靜電擊穿！ c. 正電壓 不過g極禁止懸空，
12樓：匿名使用者
會的，當vds高到一定程度以後，會使寄生在ds之間的body diode擊穿，從而導通，導通後極有可能燒壞。
vds瞬間過高，也會導致g極上產生電壓，從而出現擎住效應，致使器件導通、燒壞。
p型mos管的導通條件是什麼?
13樓：ss輕聲
1、對pmos增強型管是正確的，耗盡型則不同。
2、pmos的特性，vgs小於一定的值就會導通，使用與源極接vcc時的情況(高階驅動)。但是，雖然pmos可以很方便地用作高階驅動。
3、但由於導通電阻大，**貴，替換種類少等原因，在高階驅動中，通常還是使用nmos。
14樓：匿名使用者
對pmos增強型管是正確的，耗盡型則不同。
15樓：育龍單招網
靠在g極上加一襲個觸發電壓，使n極與d極導通。對n溝道g極電
壓為+極性。對p溝道的g極電壓為-極性。 場效電晶體的導通與截止由柵源電壓來控制，對於增強型場效電晶體來說，n溝道的管子加正向電壓即導通，p溝道的管子則加反向電壓。
一般2v～4v就可以了。
p溝道mos管作為開關，柵源的閥值為-0.4v，當柵源的電壓差為-0.4v就會使ds導通，如果s為2.
8v，g為1.8v，那麼gs=-1v，mos管導通，d為2.8v。
如果s為2.8v，g為2.8v，vgsw，那麼mos管不導通，d為0v，所以，如果2.
8v連線到s，要mos管導通為系統供電，系統連線到d，利用g控制。和g相連的gpio高電平要2.8-0.
4=2.4v以上，才能使mos管關斷，低電平使mos管導通。
如果控制g的gpio的電壓區域為1.8v，那麼gpio高電平的時候為1.8v，gs為1.8-2.8=-1v，mos管導通，不能夠關斷。
gpio為低電平的時候，假如0.1v，那麼gs為0.1-2.8=-2.7v,mos管導通。這種情況下gpio就不能夠控制mos管的導通和關閉。
16樓：哈利路球球
是的！這個和那個jfet的n溝道對應理解！
我想找一種mos管，要求g極為0電壓時，d與s極導通；g極加電壓時，d與s極斷開。 最好導通電壓小於5v
17樓：匿名使用者
導通電壓2v多。推薦一種si2301 g極為0電壓時，d與s極導通;
si2302 與si2301相反
18樓：匿名使用者
你沒有提電流方面的要求，所以選用任意一款耗盡型場效電晶體都可以。
19樓：我要
rf3205 rf4905可以搭h橋
一般用什麼溝道的場效電晶體做開關管
n mosfet，p溝道的mos，電子遷移率大概只有n溝道的1 3。故而常用n溝道。開關電源是利用現代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈衝寬度調製 pwm 控制ic和mosfet構成。隨著電力電子技術的發展和創新，使得開關電源技術也在不斷地創新...
場效電晶體是什麼東西，什麼是場效電晶體
場效電晶體 現在越來越多的電子電路都在使用場效電晶體,特別是在音響領域更是如此,場效電晶體與電晶體不同,它是一種電壓控制器件 電晶體是電流控制器件 其特性更象電子管,它具有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由於是電壓控制器件所以噪聲小.場效電晶體是一種單極型電晶體,它只有一個p n結,在零偏壓的狀態下...
貼片場效電晶體
得看你多大功復率了 是制高壓mos 還是低壓mos 以我bai們工廠為du例 to 263的貼片低壓mos可封zhi裝120n10 120a 100v 100n120 100a 120v 如果是dao 高壓mos 那就400 600v的 to 263封裝的常用到的12n 18n 20n類似產品 to...