1樓：誰叫我是沈亦興
場效電晶體
現在越來越多的電子電路都在使用場效電晶體,特別是在音響領域更是如此,場效電晶體與電晶體不同,它是一種電壓控制器件(電晶體是電流控制器件),其特性更象電子管,它具有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由於是電壓控制器件所以噪聲小.
場效電晶體是一種單極型電晶體,它只有一個p-n結,在零偏壓的狀態下,它是導通的,如果在其柵極(g)和源極(s)之間加上一個反向偏壓(稱柵極偏壓)在反向電場作用下p-n變厚(稱耗盡區)溝道變窄,其漏極電流將變小,(如圖c1-b),反向偏壓達到一定時,耗盡區將完全溝道"夾斷",此時,場效電晶體進入截止狀態如圖c-c,此時的反向偏壓我們稱之為夾斷電壓,用vpo表示,它與柵極電壓vgs和漏源電壓vds之間可近以表示為vpo=vps |vgs|,這裡|vgs|是vgs的絕對值.
在製造場效電晶體時,如果在柵極材料加入之前,在溝道上先加上一層很薄的絕緣層的話,則將會大大地減小柵極電流,也大大地增加其輸入阻抗,由於這一絕緣層的存在,場效電晶體可工作在正的偏置狀態,我們稱這種場效電晶體為絕緣柵型場效電晶體,又稱mos場效電晶體,所以場效電晶體有兩種型別,一種是絕緣柵型場效電晶體,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置狀態,一種是結型柵型效應管,它只能工作在反向偏置狀態.
絕緣柵型場效電晶體又分為增強型和耗盡型兩種,我們稱在正常情況下導通的為耗盡型場效電晶體,在正常情況下斷開的稱增強型效應管.增強型場效電晶體特點:當vgs=0時id(漏極電流)=0,只有當vgs增加到某一個值時才開始導通,有漏極電流產生.
並稱開始出現漏極電流時的柵源電壓vgs為開啟電壓.
耗盡型場效電晶體的特點,它可以在正或負的柵源電壓(正或負偏壓)下工作,而且柵極上基本無柵流(非常高的輸入電阻).
結型柵場效電晶體應用的電路可以使用絕緣柵型場效電晶體,但絕緣柵增強型場效管應用的電路不能用結型 柵場效電晶體代替.
2樓：匿名使用者
簡單地說，場效電晶體是用來用一個小電流（或電壓）來控制一個大電流的（或電壓）
場效電晶體分結型、絕緣柵型兩大類。結型有兩個pn結，通過pn兩種半導體中電離子堆積的大小來阻斷和開啟電流通路達到控制效果。
絕緣柵又稱mos型（mos=metal-oxide semiconductor)，是靠金屬氧化物內外的電場來控制的，中間隔著絕緣體，所以它的控制電流可以非常小，幾近於零
3樓：等你下課的我
mos管是什麼東西呢
什麼是場效電晶體
4樓：
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
場效電晶體（fet）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。
由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。
fet 英文為field effect transistor，簡寫成fet。
場效電晶體具有如下特點。
（1）場效電晶體是電壓控制器件，它通過vgs(柵源電壓)來控制id（漏極電流）；
（2）場效電晶體的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012ω）很大。
（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
（4）它組成的放大電路的電壓放大係數要小於三極體組成放大電路的電壓放大係數；
（5）場效電晶體的抗輻射能力強；
（6）由於它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
5樓：匿名使用者
場效電晶體、閘流體和可控矽之類的器件都是屬於控制類器件，但總的原理或應用與三極體大同小異，所以，電子電路書籍後都是以三極體為主的。
順便更正你的錯誤：場管不是元件，而是器件。
6樓：匿名使用者
閘流體和可控矽是一個東西，起了兩個名，是電流開關元件。場效電晶體是另一類，有很多種，是電壓控制元件。目前有些大功率的場效電晶體在某些場合可代替可控矽的作用。
7樓：
場效電晶體是一種根據三極體的原理而開發出的新一代放大元件，是一類元件的名稱
8樓：朱哥講電子
場效電晶體是如何分類的。
場效電晶體的作用是什麼？
場效電晶體是個什麼東西?原理作用都是什麼?
9樓：654鄉
1.場效電晶體（fet）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。
2.場效電晶體工作原理就是「漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id」。
更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在vgs=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加vds的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流id流動。
從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，id飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。
在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生id的飽和現象。
其次，vgs向負的方向變化，讓vgs=vgs(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且vds的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。
3.作用：
1.場效電晶體可應用於放大。由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效電晶體可以用作可變電阻。
4.場效電晶體可以方便地用作恆流源。
5.場效電晶體可以用作電子開關。
場效電晶體與三極體的各自應用特點
1.場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極體的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。
2.場效電晶體是電壓控制電流器件，由vgs控制id，其放大係數gm一般較小，因此場效電晶體的放大能力較差；三極體是電流控制電流器件，由ib（或ie）控制ic。
3.場效電晶體柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效電晶體的柵極輸入電阻比三極體的輸入電阻高。
4.場效電晶體是由多子參與導電；三極體有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效電晶體。
5.場效電晶體在源極金屬與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大；而三極體的集電極與發射極互換使用時，其特性差異很大，β值將減小很多。
6.場效電晶體的噪聲係數很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求訊雜比較高的電路中要選用場效電晶體。
7.場效電晶體和三極體均可組成各種放大電路和開關電路，但由於前者製造工藝簡單，且具有耗電少，熱穩定性好，工作電源電壓範圍寬等優點，因而被廣泛用於大規模和超大規模積體電路中。
8.三極體導通電阻大，場效電晶體導通電阻小，只有幾百毫歐姆，在現用電器件上，一般都用場效電晶體做開關來用，他的效率是比較高的。
10樓：wxy123456穎
場效電晶體是場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）的簡稱。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。
場效電晶體工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id」。更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。
在vgs=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加vds的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流id流動。從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，id飽和。
擴充套件資料
場效電晶體具有如下特點
（1）場效電晶體是電壓控制器件，它通過vgs(柵源電壓)來控制id（漏極電流）；
（2）場效電晶體的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012ω）很大。
（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
（4）它組成的放大電路的電壓放大係數要小於三極體組成放大電路的電壓放大係數；
（5）場效電晶體的抗輻射能力強；
（6）由於它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
場效電晶體分為結型場效電晶體（jfet）和絕緣柵場效電晶體（mos管）兩大類。
按溝道材料型和絕緣柵型各分n溝道和p溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效電晶體均為耗盡型，絕緣柵型場效電晶體既有耗盡型的，也有增強型的。
場效應電晶體可分為結場效應電晶體和mos場效應電晶體，而mos場效應電晶體又分為n溝耗盡型和增強型；p溝耗盡型和增強型四大類。
結型場效電晶體（jfet）
1、結型場效電晶體的分類：結型場效電晶體有兩種結構形式，它們是n溝道結型場效電晶體和p溝道結型場效電晶體。
結型場效電晶體也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。
電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個pn結的正向導電方向。
11樓：申城城申
場效電晶體，是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。
原理：漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id。
作用：場效電晶體可應用於放大，很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換，可以用作可變電阻，可以方便地用作恆流源，可以用作電子開關。
擴充套件資料：
與雙極型電晶體相比，場效電晶體具有如下特點。
場效電晶體是電壓控制器件，它通過vgs(柵源電壓)來控制id（漏極電流）；
場效電晶體的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012ω）很大。
它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
它組成的放大電路的電壓放大係數要小於三極體組成放大電路的電壓放大係數；
場效電晶體的抗輻射能力強；
由於它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
場效電晶體是電場效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、製造工藝簡單等特點，在大規模和超大規模積體電路中被應用。
場效應器件憑藉其低功耗、效能穩定、抗輻射能力強等優勢，在積體電路中已經有逐漸取代三極體的趨勢。但它還是非常嬌貴的，雖然多數已經內建了保護二極體，但稍不注意，也會損壞。所以在應用中還是小心為妙。
貼片場效電晶體
得看你多大功復率了 是制高壓mos 還是低壓mos 以我bai們工廠為du例 to 263的貼片低壓mos可封zhi裝120n10 120a 100v 100n120 100a 120v 如果是dao 高壓mos 那就400 600v的 to 263封裝的常用到的12n 18n 20n類似產品 to...
場效電晶體的工作原理和基本結構是什麼
場效電晶體你內部結構，工作原理和電路中的幾種用法 回答您好場效電晶體工作原理用一句話說，就是 漏極 源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id 更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。場效應電晶體 fie...
這個場效電晶體這樣接入電路中對不對
場效電晶體的輸入阻抗很高，在柵極懸空的情況下，輸出狀態不確定，手一摸或某些干擾可能讓其開通，但再一摸或者其它干擾又會使其關斷 因此實際作為開關元件時，柵極要麼接5v左右正電源，要麼通過過電阻接地 電源負極 s極和d極並不是絕對斷開的，僅僅是電阻很大而已，所以是有漏電流的。如果懸浮，g極會有感應電壓，...