1樓:牛角尖
圖中只有源極2與漏極3之間存在一個二極體,柵極1與源極之間並沒有二極體。
你大概把那個表示「p溝道」的箭頭符號看成二極體了。箭頭衝上指,表示p溝道,箭頭衝柵極方向指,表示n溝道,並不表示二極體。
2樓:匿名使用者
還有你說的mos管導來通其自實與柵極沒有多大關係,柵極加電壓只是開啟導電溝,也就是柵極就是閥門。高電壓開低電壓關。漏源之間並聯的二極體時寄生二極體,有的大功率mos管自身攜帶,由工藝決定。
不是人為製作,你就看做事他具備這個特性。有的mos管沒有這個寄生二極體的。
3樓:love小樂麼
sorry,我布吉島
4樓:匿名使用者
我覺得,你這個電路是不是防反電路?
如果可以的話,應該看看前後級電路。
在mos管的源極和柵極之間並一個電阻,是為電源瞬間上電時候保護mos的寄生電感。該如何理解這句話?
5樓:
mos管如果
抄g端懸空的話,會使mos管導通,造成mos管因電流過大而燒燬,加電阻的作用是拉地電阻,起到限流的作用,防止其懸空導通燒燬!
mos管是一個esd敏感元件,本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以很容易受外界或者靜電影響而帶電,容易引起靜電擊穿。
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應電晶體,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
mos管的source和drain是可以對調的,他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的效能,這樣的器件被認為是對稱的。
柵源間的過電壓保護:如果柵源間的阻抗過高,則漏源間電壓的突變會通過極間電容耦合到柵極而產生相當高的ugs電壓過沖,這一電壓會引起柵極氧化層永久性損壞,如果是正方向的ugs瞬態電壓還會導致器件的誤導通。為此要適當降低柵極驅動電路的阻抗,在柵源之間並接阻尼電阻或並接穩壓值約20v的穩壓管,特別要注意防止柵極開路工作。
在mos管的源極和柵極之間並一個電阻,是為保護mos的寄生電感,在電源瞬間上電時候?該如何理解呢 20
6樓:
mos管如果g端懸空的話,會使mos管導通,造成mos管因電流過大而燒燬,加電阻的作用是拉地電阻,起到限流的作用,防止其懸空導通燒燬!
mos管是一個esd敏感元件,本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以很容易受外界或者靜電影響而帶電,容易引起靜電擊穿。
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應電晶體,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
mos管的source和drain是可以對調的,他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的效能,這樣的器件被認為是對稱的。
柵源間的過電壓保護:如果柵源間的阻抗過高,則漏源間電壓的突變會通過極間電容耦合到柵極而產生相當高的ugs電壓過沖,這一電壓會引起柵極氧化層永久性損壞,如果是正方向的ugs瞬態電壓還會導致器件的誤導通。為此要適當降低柵極驅動電路的阻抗,在柵源之間並接阻尼電阻或並接穩壓值約20v的穩壓管,特別要注意防止柵極開路工作。
7樓:匿名使用者
是為了放電,因為mos管內部類似於一個電容,如果dout沒有下拉功能,mos導通後就會一直處於導通狀態,這裡並聯一個電容後,當dout變成低電位時,可以把mos管結電容的電放掉!如果訊號有下拉功能,可以取消此電阻!
8樓:只是寂寞微染
源極與柵極之間電阻很大,他們之間會有一定的電容量(二極體也有叫pn節電容,所以高頻訊號時要考慮到pn節電容),
並上電阻之後,當訊號由大電壓變小時他們之間通過電阻放電,當訊號電壓由小到大變時就不會與極間電容的電壓疊加(因為極間電容的電已經通過電阻放掉了),訊號電壓就不足於擊穿,起到保護作用
9樓:匿名使用者
你這個問題我幫你在大位元電子變壓器論壇發過帖子了,就等待那邊的高手提供更詳細的解答。
如果有回答,第一時間通知你,你可以留個郵箱。如果問題比較急,你可以登入論壇然後搜尋你的標題看別人的回答也行。
nmos管使用時候,在柵極和源極加100k電阻保護mos管,那麼pmos管使用的時候,是否需要加電阻呢?如下圖 20
10樓:安全護航
我已經被你問的所有問題搞糊塗了,這這題而言,q2的源是vdd128,q3的發射極是gnd128,兩者不同,所以,r6是要接的。
建議你在一個問題裡追問就行了。
電子高手請進!這個n溝道mos管為什麼源極和漏極之間是導通的?這時候柵極和源極間沒有電壓啊 而且一 20
11樓:igbt保護
首先把三個極短接一下,把柵極電壓洩放了,然後測漏源兩極,正表筆接漏極,負表筆接源極好的應該不通,再反接測量,通了是因為內部有保護(防反壓擊穿)二極體!
12樓:bd邱宇航
場管輸入阻抗極高,懸空時就可感應周圍電場而導通,
一旦導通,g極懸空時,其gs結電容無法洩放而繼續維持導通一段時間......
13樓:匿名使用者
有的大功率管在源極和漏極之間反向並聯了一個二極體,
14樓:匿名使用者
這就是個三極體而已,三極體本來就是二極體的組合,本來就可以當整流電阻使用的好不?
15樓:匿名使用者
你根本沒有把情況描述清楚!時漏源與源漏之間都是導通?還是隻是源漏導通?還有你說的50左右測得是說的引數是什麼單位??
mos管中,為什麼當柵極與源極之間電壓相同時,d-s之間相當於兩個pn結反向串聯?怎麼看出來?
16樓:匿名使用者
呵呵,其實樓主看看mos的結構圖就清楚了,比如對於nmos來說,是做在p型襯底上的,它的d和s都是n型的,中間的溝道就是p型的,這就形成了npn結構。在cmos電路中,有個很重要的閂鎖效應就是這個寄生npn三極體的導通。
17樓:匿名使用者
有的mos管中在d-s與d-s之間各接有一隻二極體與一隻穩壓管,看是看不出來,用表一測即可得知
與mos管柵極並聯的電阻穩壓管起什麼作用
18樓:霸王漫步
因為mos管柵極與漏極和源極之間的絕緣電阻很高,絕緣層很薄,柵極很容易積累電荷把絕緣層擊穿而損壞mos管,在使用過程中如果有較高電壓加到柵極也要擊穿絕緣層而損壞mos管,所以要在mos管柵極並聯穩壓管以限制柵極電壓在穩壓管穩壓值以下,保護mos管柵極不被擊穿。mos管柵極並聯的電阻是為了釋放柵極電荷,不讓電荷積累。總之與mos管柵極並聯的電阻穩壓管起保護mos管柵極的作用。
19樓:匿名使用者
那個一般都用開關二極體1n4148吧,主要是用來洩流,起迅速關斷mos的作用。
20樓:匿名使用者
不知道這個穩壓管的具體位置,如果是接在mos管的柵極和源極的話,應該是起保護作用,使其柵源電壓不超過保護電壓值(一般是不超過20v).
為什麼mos管的源極與襯底極都是連著的
以nmos為例 當nmos直接做bai在dup型襯底zhi上時，為了防止襯底與源dao漏的pn結正偏導通，襯底要接回最低電位，對答單個mos而言，襯底和源可以直接相連 但如果是在積體電路里面，所有mos管的襯底都接了最低電位，但源端可能不是接最低電位，這時源和襯底就是不連一起的，這時就會出現襯偏效應...
求詳解 MOS管，三極體，功率管，開關管之間的聯絡與區別
開關管是mos管和三極體的一種用途，即用於控制電路導通和關斷。區別在於mos管使用電壓控制開關狀態而三極體是用電流控制開關狀態。mos管和三極體也可以不用做開關管，比如三極體經常工作於放大區用作電流放大器件，這是就不能算開關管。功率管是相對於訊號管而言的。如果器件是用於控制功率轉換的那麼就是功率管了...
mos管GS之間的跨接的電阻到底有什麼用
別聽他們bai瞎說,這個電阻的du作用是加快mos關閉作用的,如果zhi不加這個電dao阻,mos關閉的版時候就會很慢,這樣權mos內阻就會有一段時間變得很大燒燬mos的,加上這個電阻會加快g級放電,從而使mos關閉時間縮短,產生的熱量會大大減小 gs有電壓差到一定程度的時候,mos管就會開啟 這個...