1樓：匿名使用者
igbt 開關速度高，開關損耗小，具有耐脈衝電流衝擊的能力，通態壓降較低，輸入阻抗高，為電專壓驅
屬動，驅動功率小 開關速度低於電力mosfet,電壓，電流容量不及gto
gtr 耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低 開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路複雜，存在二次擊穿問題
gto 電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導調製效應，其通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈衝電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路複雜，開關頻率低
mosfet 開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題 電流容量小，耐壓低，一般只適用於功率不超過10kw的電力電子裝置
電力電子技術試題gto gtr mosfet igbt四種電晶體的優缺點請儘量稍微的詳細點
2樓：理科女
gto(門級可關斷閘流體)：全控型器件 電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具專有電導調製效應，其屬通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈衝電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路複雜，開關頻率低
gtr（電力電晶體）耐高壓，電流大開關特性好mosfet（電力場效應電晶體）驅動電路簡單，需要驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩定性高於gtr但是電流容量小
igbt(絕緣柵雙極電晶體)它綜合了gtr和mosfet的優點，具有電導調製效應，其通流能力很強，但是開關速度較慢，所需驅動功率大，驅動電路複雜。
望採納~~
3樓：匿名使用者
igbt 開關速bai度高，開關損耗du小，具有耐脈衝電流衝擊的能zhi力，通態壓降較低，輸dao入阻抗高，為電版壓驅動，驅動功率小 開關權速度低於電力mosfet,電壓，電流容量不及gto
gtr 耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低 開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路複雜，存在二次擊穿問題
gto 電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導調製效應，其通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈衝電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路複雜，開關頻率低
mosfet 開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題 電流容量小，耐壓低，一般只適用於功率不超過10kw的電力電子裝置
電力電子技術試題gto gtr mosfet igbt四種電晶體的優缺點請儘量稍微的詳細點
4樓：匿名使用者
gto既保留了普通閘流體耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理回
想的高壓答、大電流開關器件。gto的容量及使用壽命均超過gtr，只是工作頻率比gtr低。目前，gto已達到3000a、4500v的容量。
大功率可關斷閘流體已廣泛用於斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。
單管gtr飽和壓降vces低，開關速度稍快，但是電流增益β小，電流容量小，驅動功率大，用於較小容量的逆變電路。
mosfet優點：熱穩定性好、安全工作區大。缺點：擊穿電壓低，工作電流小。
igbt是mosfet和gtr（功率晶管）相結合的產物。特點：擊穿電壓可達1200v，集電極最大飽和電流已超過1500a。
由igbt作為逆變器件的變頻器的容量達250kva以上，工作頻率可達20khz。
5樓：匿名使用者
gto具有自關斷能bai力，但所需驅動電流du和驅動功率較
zhi大。
gtr具有自dao關斷能力，除所需驅動電流和驅專動功率較大屬外，工作電壓和電流與其它器件相比較低。有二次擊穿現象。
mosfet開關速度快，驅動功率小，但工作電壓低，尤其是柵極控制電壓一般不超過20v。
igbt具有gtr和mosfet的優點，工作電壓高，工作電流大，驅動功率小，開關速度快（可達20khz）。但柵極控制電壓一般也在20v以下。
6樓：cc簡
建議找本書系統的看看，很多方面不同，各有優缺點
7樓：
可以不過給我分哦先給
scr.gto.gtr功率mosfet。igbt的各自優缺點
8樓：lin夕子
上述提到的器件
都屬於功率開關器件。若按參與導電的載流子是一種還是兩種，可分為單極器件和雙極器件。
其中屬於雙極器件的有：scr、gto、gtr以及igbt；單極器件的是功率mosfet。scr是可控矽整流器，也叫閘流體，主要用在類似於二極體的領域，其與二極體不同的是，正向工作時，可通過門極電流來觸發導通。
而不像是二極體過了導通電壓就能直接導通，但其關斷不能通過門極關斷，而是將電流減小至某個值以下，或是直接的換向關斷。gto是gate turn-off thyristor， 為門極可關斷閘流體，即可以通過控制門極關斷閘流體。
gtr應該是giant transistor，為巨型電晶體，導通工作時要求發射結集電結均正偏，與普通bjt工作類似。以上的器件主要用於大電流，高壓，低頻場合。
而功率mosfet由於是單極型器件，電流處理能力相對較弱，但由於其在開關過程中，沒有載流子儲存的建立與抽取，其頻率特性好，用於高頻低壓領域。
而igbt，為insulated gate bipolar transistor，是絕緣柵雙極場效電晶體，為電壓控制電流，柵控器件，其工作頻率比普通的雙極器件高，電流處理能力比mosfet要強，一般用於中高頻中高壓領域。
請問igbt、gto、gtr與mosfet的驅動電路有什麼特點
9樓：匿名使用者
igbt成為絕緣柵型場效電晶體 gto 門極可關斷閘流體 gtr 巨型閘流體 mosfet
如果你採用的是王
兆安的第五版的 那麼書上的結論如下：
1.gto的驅動電路：分為脈衝變壓器耦合式和直接耦合兩種，直接耦合應用範圍廣，但是功耗大，效率低。給出的例子就是其驅動特點：
原方n1到副方n2出項兩種導通：
正向：c3放電—r1—v1（觸發導通）—l—觸發gto
c1放電—r2—v2—l—gto
反向關斷：c4放電 —關斷gto—門級—l—v3
剩下三種推到方法類似....
2 gtr: 圖中給的分為電氣隔離和電晶體放大電路兩部分組成，主要是通過光耦合器控制三極體的原理控制觸發電路
3 mosfet和igbt都是電壓驅動器件，要求驅動電路有較小的輸出電阻。
10樓：無聊的說
答：igbt驅動電路的特點是：驅動電路具有較小的輸出電阻，igbt是電壓驅動型器件，igbt的驅動多采用專用的混合整合驅動器。
gtr驅動電路的特點是：驅動電路提供的驅動電流有足夠陡的前沿，並有一定的過沖，這樣可加速開通過程，減小開通損耗，關斷時，驅動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅動電流，並加反偏截止電壓，以加速關斷速度。
gto驅動電路的特點是：gto要求其驅動電路提供的驅動電流的前沿應有足夠的幅值和陡度，且一般需要在整個導通期間施加正門極電流，關斷需施加負門極電流，幅值和陡度要求更高，其驅動電路通常包括開通驅動電路，關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。
電力mosfet驅動電路的特點：要求驅動電路具有較小的輸入電阻，驅動功率小且電路簡單。
gto,gtr,電力mosfet,igbt的區別及應用場合？
11樓：匿名使用者
gto是可關斷閘流體,gtr是大功充電晶體,mosfet是場效應電晶體,igbt是gtr與mosfet是合成器件.現在一般都用igbt,因為它是用電壓來控制,被控電流大,頻率可以做的較高,開關功率小.具體的區別請電力電子方面的書籍,一兩句話講不清楚.
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