1樓：假面
當半導體處於磁場中時，導體或半導體的載流子將受洛侖茲力的作用，發生偏轉，在兩端產生積聚電荷併產生霍耳電場。
如果霍耳電場作用和某一速度載流子的洛侖茲力作用剛好抵消，那麼小於或大於該速度的載流子將發生偏轉，因而沿外加電場方向運動的載流子數量將減少，電阻增大，表現出橫向磁阻效應。
在地球磁場的一定範圍內，其磁場強度是基本保持不變的，因此可以將沒有擾動的地球磁場強度作為參考磁場強度。如果具有一定鐵磁性的物體進入參考磁場時，就會對之前穩定的地球磁場產生干擾，從而磁場強度會發生變化。
當一輛車具有比較大的鐵磁特性時，其在靜止或在行駛過程中，都會對穩定的地磁場產生擾動，但這種擾動相對參考磁場來講是比較大的。
根據這樣的磁場擾動特性，物理學家發現可以採用可以檢測磁場擾動的感測器對這種擾動進行資料採集分析，就能夠獲取車輛的行駛狀態和基本引數，通過交通工程學可以進一步獲取更多更詳細的交通基礎資料。
2樓：匿名使用者
磁阻效應(magnetoresistance effect, mr)是指材料之電阻隨著外加磁場的變化而改變的效應，其物理量的定義，是在有無磁場下的電阻差除上原先電阻，用以代表電阻變化率。
磁阻效應最初於2023年由威廉·湯姆森，即後來的開爾文爵士發現，但是在一般材料中，電阻的變化通常小於5%，這樣的效應後來被稱為「常磁阻」(ordinary magnetoresistance, omr)。
常磁阻(ordinary magnetoresistance, omr)
對所有非磁性金屬而言，由於在磁場中受到羅倫茲力的影響，傳導電子在行進中會偏折，使得路徑變成沿曲線前進，如此將使電子行進路徑長度增加，使電子碰撞機率增大，進而增加材料的電阻。
巨磁阻(giant magnetoresistance, gmr)
巨磁阻效應存在於鐵磁性(如：fe, co, ni)/非鐵磁性(如：cr, cu, ag, au)的多層膜系統，由於非磁性層的磁交換作用會改變磁性層的傳導電子行為，使得電子產生程度不同的磁散射而造成較大的電阻，其電阻變化較常磁阻大上許多，故被稱為「巨磁阻」。
2023年由法國物理學家阿爾貝·費爾與德國物理學家彼得·格林貝格分別發現的巨磁阻效應，也被視為是自旋電子學的濫觴。
超巨磁阻(colossal magnetoresistance, cmr)
超巨磁阻效應存在於具有鈣鈦礦(perovskite)abo3的陶瓷氧化物中。其磁阻變化隨著外加磁場變化而有數個數量級的變化。其產生的機制與巨磁阻效應(gmr)不同，而且往往大上許多，所以被稱為「超巨磁阻」。
異向磁阻(anisotropic magnetoresistance, amr)
有些材料中磁阻的變化，與磁場和電流間夾角有關，稱為異向性磁阻效應。此原因是與材料中s軌域電子與d軌域電子散射的各向異性有關。
穿隧磁阻效應(tunnel magnetoresistance, tmr)穿隧磁阻效應是指在鐵磁-絕緣體薄膜(約1奈米)-鐵磁材料中，其穿隧電阻大小隨兩邊鐵磁材料相對方向變化的效應。此效應首先於2023年由michel julliere在鐵磁材料(fe)與絕緣體材料(ge)發現；室溫穿隧磁阻效應則於2023年，由terunobu miyazaki與moodera分別發現。此效應更是磁性隨機存取記憶體(magnetic random access memory, mram)與硬碟中的磁性讀寫頭(read sensors)的科學基礎。
磁阻效應實驗
3樓：候海凡
這樣，當磁場改變時，會改變磁阻元件的等效電阻，由於歐姆定律，在埠上等效的電壓會發生變化。
所以，當流過磁阻元件的電流不變時，只要觀察埠上的電壓就可以知道磁阻元件的磁阻變化了
4樓：紅塵飯桌
示範實驗_載流導線的磁效應
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