半導體溫度穩定性差的原因，另外是受多子還是少子影響

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溫度穩定性差的原因：

1、少數載流子濃度與溫度有關。（隨著溫度的升高而變窄）

2、禁頻寬度與溫度有關。（隨著溫度的升高而呈指數式增加）

主要是受多子影響。半導體禁頻寬度小，受熱後外層成鍵電子容易躍遷到激發態成為參與導電的載流子，導電效能提高，所以溫度穩定性差。所以多子起主要作用。

半導體指常溫下導電效能介於導體與絕緣體之間的材料。

半導體的重要性是非常巨大的，今日大部分的電子產品，如計算機、移動**或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等，而矽更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。

擴充套件資料：

半導體應用

光伏應用

半導體材料光生伏特效應是太陽能電池執行的基本原理。現階段半導體材料的光伏應用已經成為一大熱門，是目前世界上增長最快、發展最好的清潔能源市場。

太陽能電池的主要製作材料是半導體材料，判斷太陽能電池的優劣主要的標準是光電轉化率，光電轉化率越高，說明太陽能電池的工作效率越高。根據應用的半導體材料的不同，太陽能電池分為晶體矽太陽能電池、薄膜電池以及iii-v族化合物電池。

照明應用

led是建立在半導體電晶體上的半導體發光二極體，採用led技術半導體光源體積小，可以實現平面封裝，工作時發熱量低、節能高效，產品壽命長、反應速度快，而且綠色環保無汙染，還能開發成輕薄短小的產品，一經問世，就迅速普及，成為新一代的優質照明光源，

目前已經廣泛的運用在我們的生活中。如交通指示燈、電子產品的背光源、城市夜景美化光源、室內照明等各個領域，都有應用。

大功率電源轉換

交流電和直流電的相互轉換對於電器的使用十分重要，是對電器的必要保護。這就要用到等電源轉換裝置。碳化矽擊穿電壓強度高，禁頻寬度寬，熱導性高，因此sic半導體器件十分適合應用在功率密度和開關頻率高的場合，電源裝換裝置就是其中之一。

碳化矽元件在高溫、高壓、高頻的又一表現使得現在被廣泛使用到深井鑽探，發電裝置中國的逆變器，電氣混動汽車的能量轉化器，輕軌列車牽引動力轉換等領域。由於sic本身的優勢以及現階段行業對於輕量化、高轉換效率的半導體材料需要，sic將會取代si，成為應用最廣泛的半導體材料。

2樓：匿名使用者

半導體禁頻寬度小，受熱後外層成鍵電子容易躍遷到激發態，半導體內部產生很多電子空穴對，成為參與導電的載流子，導電效能就提高了。所以溫度穩定性差。

如果只考慮導電性，當然是多子起主要作用。

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多子因為擴散與溫度有關，半導體內是多子擴散，少子漂移

4樓：匿名使用者

導致半導體效能溫度穩定性差的主要原因有二：

（1）禁頻寬度與溫度有關（一般，隨著溫度的升高而變窄）；

（2）少數載流子濃度與溫度有關（隨著溫度的升高而指數式增加）。

注：多數載流子濃度基本上等於摻雜濃度，在室溫、全電離情況下，多數載流子濃度與溫度也基本上無關；只有在低溫下才有較大的關係。因此，半導體效能在低溫下的不穩定性還與多數載流子濃度的變化有關。